[發明專利]一種靶式濺射鍍膜機在審
| 申請號: | 201410011781.4 | 申請日: | 2014-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN104775098A | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | 呂春哲;孫旭東 | 申請(專利權)人: | 煙臺力凱電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 265500 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濺射 鍍膜 | ||
技術領域
本發明涉及鍍膜機領域,尤其是一種靶式濺射鍍膜機。
背景技術
石英晶體諧振器是一種用于穩定頻率和選擇頻率的電子元件,被廣泛的應用在電子產品上。隨著產品生產自動化程度的提高,產品品質要求也越來越高,已經成為一個企業生存的關鍵。晶片鍍膜是石英晶體生產的重要環節,它關系到成品的各項技術參數是否合格?,F有的鍍膜機都是通過銀在真空狀態高溫形成銀蒸氣,然后再附著到晶體表面。采用此工藝存在以下兩方面問題:一是采用銀蒸發,達不到連續蒸發,影響產品品質;二是鍍層分布不均,鍍層與鍍件結合不牢固。因此,需要一種新的技術方案來解決上述技術問題。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提供了一種靶式濺射鍍膜機,該鍍膜機通過采用磁控濺射原理,實現濺射鍍膜,可以有效地解決原有鍍膜工藝的缺點,提高產品質量。
本發明采用的技術方案是,一種靶式濺射鍍膜機,包括接地板、靶體、所述靶體安裝在接地板上,兩者之間安裝有靶體絕緣墊,并且靶體的腔內裝有靶磁續,靶磁續可以使得磁場產生的磁力線閉合;所述靶磁續上安裝有靶中心墊和環形磁鐵組成;所述靶體前端有靶頭,靶頭將靶體的內腔密封;所述靶頭凹槽內裝有銀靶,銀靶通過邊框固定在靶頭上,所述接地板前端安裝有靶護罩,靶護罩前端安裝有靶前護罩,所述靶體后側安裝孔內安裝有接頭。所述靶中心墊與靶磁續接觸一側有若干個凹槽。
本發明的靶安裝真空環境下,環境內充氬氣。直流磁控激射電源電源正極連接真空罩,負極連接靶。真空罩內產生輝光放電現象,從而產生帶電的離子,帶電離子在電場的作用下加速飛向被鍍件,這個過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向被鍍件,氬離子在電場的作用下加速轟擊銀靶,濺射出大量的銀原子,呈中性的銀原子(或分子)沉積在被鍍件上成膜。二次電子在加速飛向被鍍件的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近銀靶面的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞銀靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊銀靶,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離銀靶,最終沉積在被鍍件上。同時從接頭打入冷卻水,通過靶中心墊上的凹槽,使得靶體均勻冷卻。
本發明的有益效果是,提供了一種靶式濺射鍍膜機,采用磁控濺射原理,實現了濺射鍍膜,使鍍膜過程中銀能夠連續蒸發,改善了鍍層分布不均的問題,提高了產品質量。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。
圖1?為靶式濺射鍍膜機的結構示意圖。
圖2?為靶式濺射鍍膜機側視圖。
圖3為靶式濺射鍍膜機俯視圖。
圖4為本發明靶中心墊結構示意圖。
圖5為本發明靶中心墊俯視圖。
圖中1.接地板,2.靶體,3.靶體絕緣墊,4.靶磁續,5.靶中心墊,6.環形磁鐵組成,7.靶頭,8.銀靶,9.邊框,10.靶護罩,11.靶前護罩,12.接頭,13.凹槽。
具體實施方式:
??參照附圖,一種靶式濺射鍍膜機,包括接地板1和靶體2,所述靶體2安裝在接地板1上,兩者之間設有靶體絕緣墊3,所述靶體2的空腔內裝有靶磁續4,靶磁續4上安裝有靶中心墊5和環形磁鐵6,所述靶體2前端有靶頭7,將靶體的內腔密封,所述靶頭7凹槽內裝有銀靶8,通過邊框9將銀靶8固定在靶頭7上,所述接地板1前端安裝有靶護罩10,所述靶護罩10前端安裝有靶前護罩11,所述靶體2后側設有安裝孔,安裝孔內裝有接頭12。所述靶中心墊5與靶磁續4接觸一側有多個凹槽13。靶安裝真空環境下,環境內充氬氣。直流磁控濺射電源,電源正極連接真空罩,負極連接靶。真空罩內產生輝光放電現象,從而產生帶電的離子,帶電離子在電場的作用下加速飛向被鍍件,這個過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向被鍍件,氬離子在電場的作用下加速轟擊銀靶,濺射出大量的銀原子,呈中性的銀原子(或分子)沉積在被鍍件上成膜。二次電子在加速飛向被鍍件的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近銀靶面的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞銀靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊銀靶8,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離銀靶8,最終沉積在被鍍件上。同時從接頭12打入冷卻水,通過靶中心墊5上的凹槽,使得靶體均勻冷卻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于煙臺力凱電子科技有限公司,未經煙臺力凱電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410011781.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





