[發(fā)明專利]固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法以及攝像機(jī)模塊無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410008681.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104253135A | 公開(公告)日: | 2014-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 前田基宏;田中長(zhǎng)孝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 以及 攝像機(jī) 模塊 | ||
1.一種固體攝像裝置,具有像素陣列,上述像素陣列是光電變換元件與攝像圖像的各像素相對(duì)應(yīng)地矩陣狀2維排列而成的,該光電變換元件中第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域與第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的接合面形成為凹凸形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置,
上述接合面具備與上述光電變換元件的受光面平行配置的條狀的凸部以及凹部。
3.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置,
上述條狀的凸部以及凹部設(shè)置為柵格狀。
4.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置,
上述接合面具有點(diǎn)狀的凸部。
5.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置,
上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域具備:
第二導(dǎo)電型的第一區(qū)域,設(shè)置在上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域中的光入射的一側(cè)的面上;以及
第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域,從該第一區(qū)域與上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的接合面向上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)突出。
6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置,
上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域具備:
設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域;以及
從該第一區(qū)域與上述半導(dǎo)體基板的接合面向該半導(dǎo)體基板側(cè)突出的第一導(dǎo)電型的第二區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置,
在上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部還具有第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
8.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置,
上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域中的第二區(qū)域具備從光入射的一側(cè)的面朝向該第二區(qū)域的內(nèi)部而形成的槽,
在該槽的內(nèi)部設(shè)有由絕緣體形成的絕緣區(qū)域。
9.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置,
還具備:
提供負(fù)電壓的電源;以及
連接到上述電源的布線,
上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域中的第二區(qū)域具備從光入射的一側(cè)的面朝向該第二區(qū)域的內(nèi)部而形成的槽,
在該槽的內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)電區(qū)域,該導(dǎo)電區(qū)域由通過(guò)上述布線被施加上述負(fù)電壓的導(dǎo)電體形成。
10.一種固體攝像裝置的制造方法,包括如下步驟:
在半導(dǎo)體基板上將第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域以矩陣狀2維排列;以及
在上述第一導(dǎo)電型的各個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域上形成第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域,使得該第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域與該第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的接合面為凹凸形狀,從而形成與攝像圖像的各像素相對(duì)應(yīng)的光電變換元件。
11.如權(quán)利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,
包括如下步驟:
以使上述接合面成為與上述光電變換元件的受光面平行的條狀的凹凸形狀的方式,形成上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
12.如權(quán)利要求11所述的固體攝像裝置的制造方法,
將上述條狀的凹凸形狀形成為柵格狀。
13.如權(quán)利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,
包括如下步驟:
以使上述接合面成為點(diǎn)狀的凹凸形狀的方式,形成上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
14.如權(quán)利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,
包括如下步驟:
在上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域中的光入射的一側(cè)的面上形成第二導(dǎo)電型的第一區(qū)域,并從該第一區(qū)域與上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的接合面起形成向上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)突出的第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域,從而形成上述第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的固體攝像裝置的制造方法,
包括如下步驟:
在半導(dǎo)體基板上形成第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域,從該第一區(qū)域與上述半導(dǎo)體基板的接合面起形成向上述半導(dǎo)體基板側(cè)突出的第一導(dǎo)電型的第二區(qū)域,從而形成上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
16.如權(quán)利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,
包括如下步驟:
在上述第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部進(jìn)一步形成第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝,未經(jīng)株式會(huì)社東芝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410008681.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





