[發明專利]半導體器件、多芯片封裝體以及利用半導體器件的半導體系統

有效

• 申請號: 201410008429.5
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104240769B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 玉成華
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

1.一種半導體器件，包括：

錯誤檢測單元，所述錯誤檢測單元適用于接收數據和循環冗余校驗CRC碼，并且適用于通過檢測所述數據的傳輸錯誤來輸出檢測信號，其中所述檢測信號是用于檢測數據傳輸中發生的錯誤的信號；以及

信號改變單元，所述信號改變單元適用于：基于所述檢測信號來產生錯誤信息，同時基于所述數據的信號傳輸環境來改變所述錯誤信息的脈沖寬度。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述信號改變單元包括：

脈沖發生單元，所述脈沖發生單元適用于響應于所述檢測信號而產生具有預定的脈沖寬度的所述錯誤信息；以及

控制信號發生單元，所述控制信號發生單元適用于基于所述信號傳輸環境來控制所述錯誤信息的所述脈沖寬度。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述信號傳輸環境包括：工藝、電壓以及溫度。

4.一種半導體系統，包括：

多個半導體器件，所述半導體器件適用于接收數據和與所述數據相對應的循環冗余校驗CRC碼、檢測所述數據的傳輸錯誤、以及基于用于檢測數據傳輸中發生的錯誤的檢測信號來產生錯誤信息；

控制器，所述控制器適用于將所述數據和所述CRC碼提供給所述半導體器件、經由公共傳輸線來接收所述錯誤信息、以及重新傳送所述數據；以及

負載值檢測單元，所述負載值檢測單元適用于檢測所述公共傳輸線的負載值、并且產生控制信號，

其中，每個所述半導體器件響應于所述控制信號而改變所述錯誤信息的脈沖寬度。

5.如權利要求4所述的半導體系統，其中，每個所述半導體器件包括：

錯誤檢測單元，所述錯誤檢測單元適用于接收所述數據和所述CRC碼、并且通過檢測所述數據的所述傳輸錯誤來輸出檢測信號；以及

脈沖發生單元，所述脈沖發生單元適用于：基于所述檢測信號來產生所述錯誤信息，同時響應于所述控制信號而改變所述錯誤信息的脈沖寬度。

6.如權利要求5所述的半導體系統，其中，所述錯誤信息是脈沖信號。

7.如權利要求6所述的半導體系統，其中，所述脈沖發生單元響應于所述控制信號而調整所述錯誤信息的脈沖寬度。

8.如權利要求7所述的半導體系統，其中，當所述公共傳輸線的負載值比預定的負載值大時，所述錯誤信息的所述脈沖寬度被加寬到超過預定的脈沖寬度。

9.如權利要求4所述的半導體系統，與每個所述半導體器件相對應的所述錯誤信息經由所述公共傳輸線被順序傳送。

10.一種多芯片封裝體，其具有與穿硅通孔TSV耦接的多個半導體芯片，每個所述半導體芯片包括：

錯誤檢測單元，所述錯誤檢測單元適用于接收數據和循環冗余校驗CRC碼，并且適用于通過檢測所述數據的傳輸錯誤來輸出檢測信號，其中所述檢測信號是用于檢測數據傳輸中發生的錯誤的信號；

芯片識別ID發生單元，所述芯片識別ID發生單元適用于產生與各半導體芯片相對應的芯片ID；

芯片ID比較單元，所述芯片ID比較單元適用于通過將預定的芯片ID與由所述芯片ID發生單元產生的所述芯片ID進行比較來產生控制信號；以及

脈沖發生單元，所述脈沖發生單元適用于：基于所述檢測信號來產生錯誤信息，同時響應于所述控制信號而基于所述數據的信號傳輸環境來改變所述錯誤信息的脈沖寬度。

11.如權利要求10所述的多芯片封裝體，其中，所述半導體芯片的所述芯片ID的數目與所述半導體芯片的數目相對應，并且預設所述預定的芯片ID而與所述半導體芯片的數目無關。

12.如權利要求10所述的多芯片封裝體，其中，所述錯誤信息經由第一穿硅通孔TSV來傳送。

13.如權利要求10所述的多芯片封裝體，其中，所述錯誤信息是脈沖信號。