[發明專利]具有MEMSIC的緊湊電子封裝體和相關方法有效
| 申請號： | 201410007142.0 | 申請日： | 2014-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN104760920B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 欒竟恩 | 申請（專利權）人： | 意法半導體研發(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人： | 王茂華,張寧 |
| 地址： | 518057 廣東深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 memsic 緊湊 電子 封裝 相關 方法 | ||
1.一種電子器件，包括：
橫向間隔開的第一互連襯底和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；
至少一個第一集成電路(IC)，在所述縫隙開口中，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；
至少一個第一其它IC，在所述至少一個第一IC之上，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；以及
包封材料，在所述第一互連襯底和所述第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一其它IC之上。
2.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：第三互連襯底，在所述第一互連襯底之上，并且橫向鄰接所述至少一個第一其它IC。
3.根據權利要求2所述的電子器件，其中所述第三互連襯底與所述至少一個第一其它IC對準。
4.根據權利要求2所述的電子器件，進一步包括：多個焊料體，在所述第一互連襯底和所述第三互連襯底之間。
5.根據權利要求2所述的電子器件，其中所述第三互連襯底包括電介質層和導電跡線，所述導電跡線延伸通過所述電介質層并且耦合到所述第一互連襯底和所述至少一個第一IC。
6.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：至少一個鍵合導線，在所述至少一個第一IC與所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個之間。
7.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一其它IC包括至少一個第一微機電系統(MEMS)IC；并且進一步包括在所述至少一個第一MEMS?IC之上的至少一個第二MEMS?IC。
8.根據權利要求7所述的電子器件，進一步包括：至少一個第二IC，在所述至少一個第一MEMS?IC之上，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個。
9.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：粘附層，在所述至少一個第一IC與所述至少一個第一其它IC之間。
10.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一IC在所述縫隙開口的相對側處限定相應的空隙；并且其中所述包封材料填充相應的空隙。
11.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一其它IC包括陀螺儀和加速度計中的至少一個。
12.一種電子器件，包括：
橫向間隔開的第一互連襯底和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；
至少一個第一集成電路(IC)，在所述縫隙開口中并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個，所述至少一個第一集成電路在所述縫隙開口的相對側處限定相應的空隙；
至少一個第一微機電系統(MEMS)IC，在所述至少一個第一IC之上并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；
包封材料，在所述第一互連襯底和所述第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一MEMS?IC之上，并且填充相應的空隙；以及
至少一個鍵合導線，在所述至少一個第一IC與所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個之間。
13.根據權利要求12所述的電子器件，進一步包括：第三互連襯底，在所述第一互連襯底之上并且橫向鄰接所述至少一個第一MEMS?IC。
14.根據權利要求13所述的電子器件，其中所述第三互連襯底與所述至少一個第一MEMS?IC對準。
15.根據權利要求13所述的電子器件，進一步包括：多個焊料體，在所述第一互連襯底和所述第三互連襯底之間。
16.根據權利要求13所述的電子器件，其中所述第三互連襯底包括電介質層和導電跡線，所述導電跡線延伸通過所述電介質層并且耦合到所述第一互連襯底和所述至少一個第一IC。
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