[發(fā)明專利]具有MEMSIC的緊湊電子封裝體和相關(guān)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410007142.0
• 申請(qǐng)日: 2014-01-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104760920B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 欒竟恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及電子器件領(lǐng)域，更具體地涉及集成電路和相關(guān)方法。

背景技術(shù)

在具有集成電路(IC)的電子器件中，IC通常安裝在電路板上。為了電耦合在電路板和IC之間的連接，通常將IC“封裝”。IC封裝一般提供小的包裝用于物理上保護(hù)IC并提供接觸焊盤以用于耦合到電路板。在一些應(yīng)用中，封裝的IC可以經(jīng)由鍵合導(dǎo)線或焊料凸塊而耦合到電路板。

已經(jīng)變得相當(dāng)普遍的一種特定類型的IC是微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)IC。使用典型IC制造中使用的相同技術(shù)來(lái)制造這些MEMS?IC。一些典型的MEMS?IC包括陀螺儀和加速度計(jì)。實(shí)際上，陀螺儀和加速度計(jì)現(xiàn)在包括在大多數(shù)移動(dòng)蜂窩設(shè)備中并且由其上的許多軟件應(yīng)用所使用。

參照?qǐng)D1，現(xiàn)在描述典型的經(jīng)封裝后的MEMS電子器件80。電子器件80包括襯底82、在該襯底上的第一粘附層84、在第一粘附層上的第一IC?81、在第一IC上的第二粘附層88、在第二粘附層上的第一MEMS?IC?85、在第一MEMS?IC上的第三粘附層95、在第三粘附層上的第二MEMS?IC?86、在第二MEMS?IC上的第四粘附層89以及在第四粘附層上的第二IC?91，襯底82包括多個(gè)接觸93a-93b。該電子器件還包括耦合在襯底82與第一和第二IC/MEMS?IC?81、85、86、91之間的多個(gè)鍵合導(dǎo)線92a-92e以及在襯底與第一和第二IC/MEMS?IC之上的包封材料94。

發(fā)明內(nèi)容

電子器件可以包括：橫向間隔開(kāi)的第一和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開(kāi)口；至少一個(gè)第一IC，在所述縫隙開(kāi)口中并且電耦合到所述第一和第二互連襯底中的至少一個(gè)；以及至少一個(gè)第一其它IC，在所述至少一個(gè)第一IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個(gè)。電子設(shè)備可以包括：包封材料，在所述第一和第二互連襯底、所述至少一個(gè)第一IC和所述至少一個(gè)第一其它IC之上。有利地，該電子器件可以提供較薄的低側(cè)面IC封裝體。

在一些實(shí)施例中，該電子器件可以進(jìn)一步包括：第三互連襯底，在第一互連襯底之上并且橫向上鄰接至少一個(gè)第一其它IC。第三互連襯底可以與至少一個(gè)第一其它IC對(duì)準(zhǔn)。該電子器件可以進(jìn)一步包括：多個(gè)焊料體，在第一和第三互連襯底之間。第三互連襯底可以包括電介質(zhì)層和導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線延伸通過(guò)所述電介質(zhì)層并且耦合到所述第一互連襯底和所述至少一個(gè)第一IC。

附加地，該電子器件可以進(jìn)一步包括：至少一個(gè)鍵合導(dǎo)線，在所述至少一個(gè)第一IC與所述第一和第二互連襯底的至少一個(gè)之間。在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)第一其它IC可以包括至少一個(gè)第一MEMS?IC；并且該電子器件可以進(jìn)一步包括在所述至少一個(gè)第一MEMS?IC之上的至少一個(gè)第二MEMS?IC。該電子器件可以進(jìn)一步包括：至少一個(gè)第二IC，在所述至少一個(gè)第一其它IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個(gè)。

此外，該電子器件可以進(jìn)一步包括：粘附層，在所述至少一個(gè)第一IC與所述至少一個(gè)第一其它IC之間。至少一個(gè)第一IC在所述縫隙開(kāi)口的相對(duì)側(cè)處限定相應(yīng)的空隙；并且包封材料可以填充相應(yīng)的空隙。至少一個(gè)第一其它IC可以包括陀螺儀和加速度計(jì)中的至少一個(gè)。

另一方面涉及用于制作電子器件的方法。該方法可以包括：將第一和第二互連襯底定位成在橫向上間隔開(kāi)并且在它們之間限定縫隙開(kāi)口，以及將至少一個(gè)第一IC定位在所述縫隙開(kāi)口中并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個(gè)。該方法還可以包括將至少一個(gè)第一其它IC定位在所述至少一個(gè)第一IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個(gè)，以及在所述第一和第二互連襯底、所述至少一個(gè)第一IC和所述至少一個(gè)第一其它IC之上形成包封材料。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電子器件的截面圖的示意圖。

圖2是根據(jù)本公開(kāi)的電子器件的截面圖的示意圖。

圖3是圖2的電子器件的底部平面圖。

圖4是根據(jù)本公開(kāi)的電子器件的另一實(shí)施例的截面圖的示意圖。

圖5A至圖5D是在用于制作圖2的電子器件的方法中的步驟的截面圖的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下面參照其中示出優(yōu)選實(shí)施例的附圖，更充分地描述本實(shí)施例。然而本公開(kāi)可以按照許多不同方式實(shí)施并且不應(yīng)被認(rèn)為限于這里闡述的實(shí)施例。而且，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是透徹和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本公開(kāi)的范圍。在整個(gè)附圖中，類似的標(biāo)號(hào)指代類似的元素，并且在備選實(shí)施例中使用最初的標(biāo)注來(lái)指示類似的元素。