[發明專利]NPN晶體管及形成方法

在審

• 申請號: 201410006924.2
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN103730357A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 林益梅
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265;H01L29/73;H01L29/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種NPN晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底內形成N型離子摻雜區，所述N型離子摻雜區作為所述NPN晶體管的集電極；

在所述半導體襯底和N型離子摻雜區表面形成P型電極層，所述P型電極層作為所述NPN晶體管的基極；

在所述P型電極層表面形成具有開口的絕緣層，所述開口暴露出部分P型電極層表面，在所述開口的側壁形成側墻；

在所述開口暴露出的P型電極層表面形成界面氧化層；

在所述開口內壁和絕緣層表面形成N型電極層，所述N型電極層作為所述NPN晶體管的發射極。

2.如權利要求1所述的NPN晶體管的形成方法，其特征在于，所述界面氧化層的厚度范圍為小于或等于100埃。

3.如權利要求1所述的NPN晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述界面氧化層的具體工藝為原子層沉積工藝、化學氣相沉積工藝、熱氧化工藝或等離子水清洗工藝。

4.如權利要求3所述的NPN晶體管的形成方法，其特征在于，所述等離子水清洗工藝包括：先利用含氫氟酸的清洗溶液對所述開口暴露出的P型電極層表面進行清洗；再利用去離子水對所述開口暴露出的P型電極層表面進行刷洗，使得所述開口暴露出的P型電極層表面形成界面氧化層。

5.如權利要求4所述的NPN晶體管的形成方法，其特征在于，所述利用去離子水進行刷洗的時間范圍為5秒～60秒。

6.如權利要求4所述的NPN晶體管的形成方法，其特征在于，所述含氫氟酸的清洗溶液為HF、NH₄OH和H₂O₂的混合溶液。

7.一種NPN晶體管，其特征在于，包括：

半導體襯底，位于所述半導體襯底內的N型離子摻雜區，所述N型離子摻雜區作為所述NPN晶體管的集電極；

位于所述半導體襯底和N型離子摻雜區表面的P型電極層，所述P型電極層作為所述NPN晶體管的基極；

位于所述P型電極層表面且具有開口的絕緣層，所述開口暴露出部分P型電極層，且所述開口的側壁具有側墻；

位于所述開口暴露出的P型電極層表面的界面氧化層；

位于所述開口內壁和絕緣層表面的N型電極層，所述N型電極層作為所述NPN晶體管的發射極。

8.如權利要求7所述的NPN晶體管，其特征在于，所述界面氧化層的厚度范圍為小于或等于100埃。

9.如權利要求7所述的NPN晶體管，其特征在于，所述P型電極層的材料為摻雜有P型雜質離子的鍺硅、單晶硅或多晶硅。

10.如權利要求7所述的NPN晶體管，其特征在于，所述N型電極層的材料為摻雜有N型雜質離子的多晶硅。