[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410006496.3
• 申請(qǐng)日: 2014-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104733407B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉啟東;黃惠暖;李百淵;詹慕萱;林畯棠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種半導(dǎo)體裝置的制法，包括：

提供一具有相對(duì)的第一表面與第二表面的半導(dǎo)體基板，進(jìn)行第一次薄化該半導(dǎo)體基板的第一表面后，且形成導(dǎo)電穿孔于該半導(dǎo)體基板第一次薄化后的第一表面上，使該半導(dǎo)體基板中具有多個(gè)外露于該半導(dǎo)體基板第一次薄化后的第一表面的該導(dǎo)電穿孔；

第二次薄化該半導(dǎo)體基板的第二表面，使該導(dǎo)電穿孔外露于該半導(dǎo)體基板第二次薄化后的第二表面,且該導(dǎo)電穿孔的端面與該半導(dǎo)體基板第二次薄化后的第二表面齊平，且該半導(dǎo)體基板第一次薄化后的第一表面上形成有電性連接該導(dǎo)電穿孔的多個(gè)導(dǎo)電組件；

形成線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基板第二次薄化后的第二表面上，且該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電穿孔；以及

設(shè)置至少一電子組件于該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)上，且該電子組件電性連接該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板為含硅的板體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，第一次薄化后的該半導(dǎo)體基板的厚度為25微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該導(dǎo)電組件包含設(shè)于該導(dǎo)電穿孔上的金屬層、及設(shè)于該金屬層上的焊錫材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)具有相疊的至少一線(xiàn)路層與介電層，且該線(xiàn)路層電性連接該導(dǎo)電穿孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括形成該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)前，結(jié)合承載件于該半導(dǎo)體基板第一次薄化后的第一表面上，且于設(shè)置該電子組件后，移除該承載件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括形成絕緣層于該電子組件與該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該絕緣層還包覆該電子組件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括設(shè)置該電子組件后，進(jìn)行切單制程。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括設(shè)置該電子組件后，結(jié)合一封裝基板于該導(dǎo)電組件上。