[發明專利]一種場效應晶體管的制備方法及相應場效應晶體管

有效

• 申請號: 201410006144.8
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN104766799B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明公開了一種場效應晶體管的制備方法及相應場效應晶體管，解決了現有技術中存在漏極位于襯底背面的場效應晶體管的導通損耗較大問題。該方法應用于漏極位于襯底背面的場效應晶體管，包括：在位于襯底正面的器件制備工序完成后，用保護膜覆蓋襯底正面；對襯底背面進行減薄處理；對減薄后的襯底背面進行機械拋光處理，使襯底背面的表面粗糙度在預設范圍內；對機械拋光后的襯底背面進行化學腐蝕及清洗；在化學腐蝕及清洗后的襯底背面上制備漏極電極。

技術領域

本發明涉及微電子領域，特別涉及一種場效應晶體管的制備方法及相應場效應晶體管。

背景技術

場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET），由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10⁷～10¹²Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為微電子領域極為重要的器件類型。

由于襯底的表面面積有限，為了在有限面積的襯底表面上制作更多的場效應晶體管器件，現有技術中可以將場效應晶體管的漏極從襯底背面引出，這樣就能夠減小單一場效應晶體管所占襯底表面的面積，提高芯片的集成度。

但是在本申請的發明人在實現本申請實施例的技術方案的過程中，至少發現上述現有技術存在如下技術問題：

漏極位于襯底背面的場效應晶體管的導通損耗較大，嚴重影響了場效應晶體管的性能。

發明內容

本申請提供一種場效應晶體管的制備方法及相應場效應晶體管，用于解決現有技術中存在漏極位于襯底背面的場效應晶體管的導通損耗較大問題，實現了有效降低漏極位于襯底背面的場效應晶體管的導通損耗的技術效果。

第一方面，本申請提供了一種場效應晶體管的制備方法，所述場效應晶體管的漏極位于襯底背面，所述方法包括：在位于襯底正面的器件制備工序完成后，用保護膜覆蓋襯底正面；對襯底背面進行減薄處理；對減薄后的襯底背面進行機械拋光處理，使襯底背面的表面粗糙度在預設范圍內；對機械拋光后的襯底背面進行化學腐蝕及清洗；在化學腐蝕及清洗后的襯底背面上制備漏極電極。

優選的，所述場效應晶體管為垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管。

優選的，對襯底背面進行減薄處理的方式包括：采用機械研磨的方式對襯底背面進行減薄處理；其中，減薄處理所用第一砂輪的目數在300～350目范圍之內。

優選的，所述第一砂輪的目數為325目。

優選的，所述對減薄后的襯底背面進行機械拋光處理的方式包括：采用機械研磨的方式對襯底背面進行機械拋光處理；其中，機械拋光處理所用第二砂輪的目數在325～500目范圍之內。

優選的，所述第二砂輪的目數為400目。

優選的，所述在化學腐蝕及清洗后的襯底背面上制備漏極電極，包括：對化學腐蝕及清洗后的襯底背面進行離子注入；在離子注入后的襯底背面上淀積多層金屬電極。

優選的，所述多層金屬電極為鈦鎳銀多層電極，其中鈦金屬層與襯底背面接觸。

優選的，所述垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管的漏源電壓在55V～200V范圍內。

第二方面，本申請提供一種場效應晶體管，所述場效應晶體管采用第一方面中所述的方法制備而成。

本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點：