[發(fā)明專利]一種場效應(yīng)晶體管的制備方法及相應(yīng)場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410006144.8
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN104766799B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種場效應(yīng)晶體管的制備方法，所述場效應(yīng)晶體管的漏極位于襯底背面，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管為垂直雙擴散金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述方法包括：

在位于襯底正面的器件制備工序完成后，用保護膜覆蓋襯底正面；

采用機械研磨的方式對襯底背面進行減薄處理；其中，減薄處理所用第一砂輪的目數(shù)在300～350目范圍之內(nèi)；

采用機械研磨的方式對減薄后的襯底背面進行機械拋光處理，使襯底背面的表面粗糙度在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；其中，機械拋光處理所用第二砂輪的目數(shù)在325～500目范圍之內(nèi)；

對機械拋光后的襯底背面進行化學(xué)腐蝕及清洗；

在化學(xué)腐蝕及清洗后的襯底背面上制備漏極電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一砂輪的目數(shù)為325目。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二砂輪的目數(shù)為400目。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在化學(xué)腐蝕及清洗后的襯底背面上制備漏極電極，包括：

對化學(xué)腐蝕及清洗后的襯底背面進行離子注入；

在離子注入后的襯底背面上淀積多層金屬電極。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述多層金屬電極為鈦鎳銀多層電極，其中鈦金屬層與襯底背面接觸。

6.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述垂直雙擴散金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏源電壓在55V～200V范圍內(nèi)。

7.一種場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管采用如權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的方法制備而成。