[發(fā)明專利]一種檢測化學氣相沉積薄膜小微粒的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410004522.9
• 申請日: 2014-01-06
• 公開（公告）號: CN104766807A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設計）人: 崔永鵬;孫洪福;王鐵渠
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;包姝晴

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種檢測化學氣相沉積薄膜小微粒的方法。

背景技術

等離子體增強化學氣相沉積方法（Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，PECVD）是制備薄膜材料的幾種方法中技術最為成熟、操作較為簡單的一種，并且可以制備均勻性高的大面積薄膜。現(xiàn)有技術中，PECVD方法制備的薄膜通常會含有小的微粒，這些小微粒不能夠被良率改善表面掃描工具檢測到，并且小微粒會影響晶圓的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種檢測化學氣相沉積薄膜小微粒的方法，能夠檢測到PECVD薄膜的小微粒，降低廢料風險。

為了達到上述目的，本發(fā)明通過以下技術方案實現(xiàn)：一種檢測化學氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，至少包含以下步驟：

步驟1、準備晶圓基材；

步驟2、在晶圓基材上沉積金屬；

步驟3、在沉積金屬上沉積化學氣相淀積薄膜；

步驟4、開始刻蝕過程；

步驟5、利用表面掃描工具掃描化學氣相淀積薄膜的缺陷。

上述的步驟1中的晶圓基材為氧化物。

上述的步驟2中沉積的金屬為鋁。

上述的步驟4還包含以下步驟：

步驟4.1、將化學氣相淀積薄膜刻蝕掉，僅剩下不易檢測的小顆粒；

步驟4.2、進行金屬刻蝕。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點：由于晶圓基材為氧化物，便于金屬基材更好的粘附于硅基材；由于沉積一層鋁，方便監(jiān)測薄膜的小微粒。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種檢測化學氣相淀積薄膜小微粒的方法的流程圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖，通過詳細說明一個較佳的具體實施例，對本發(fā)明做進一步闡述。

如圖1所示，一種檢測化學氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，至少包含以下步驟：?

步驟1、準備晶圓基材，晶圓基材為氧化物，能夠提高金屬基材和硅基材之間的附著力；

步驟2、在晶圓基材上沉積金屬，沉積的金屬主要為鋁；

步驟3、在沉積金屬上沉積化學氣相淀積薄膜，此薄膜上有小的微粒；

步驟4、開始刻蝕過程；

步驟4.1、將化學氣相淀積薄膜刻蝕掉，僅剩下不易檢測的小顆粒；

步驟4.2、金屬刻蝕，通入CL2/CHF3/N2，在壓力為12mTorr的等離子體環(huán)境下進行干法刻蝕，晶圓的溫度控制在40度，由于不同的刻蝕過程在化學氣相沉積薄膜和金屬層之間具有選擇性，采用鋁會容易監(jiān)測出來，這樣有缺陷的地方就有鋁存在。

步驟5、利用表面掃描工具掃描化學氣相淀積薄膜的缺陷，可以檢測到0.1um左右的小顆粒。

盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發(fā)明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護范圍應由所附的權(quán)利要求來限定。