[發(fā)明專利]一種檢測化學(xué)氣相沉積薄膜小微粒的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410004522.9 | 申請日： | 2014-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN104766807A | 公開（公告）日： | 2015-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔永鵬;孫洪福;王鐵渠 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;包姝晴 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 檢測 化學(xué) 沉積 薄膜 微粒 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種檢測化學(xué)氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，至少包含以下步驟：
步驟1、準備晶圓基材；
步驟2、在晶圓基材上沉積金屬；
步驟3、在沉積金屬上沉積化學(xué)氣相淀積薄膜；
步驟4、開始刻蝕過程；
步驟5、利用表面掃描工具掃描化學(xué)氣相淀積薄膜的缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測化學(xué)氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，所述的步驟1中的晶圓基材為氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測化學(xué)氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，所述的步驟2中沉積的金屬為鋁。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測化學(xué)氣相淀積薄膜小微粒的方法，其特征在于，所述的步驟4還包含以下步驟：
步驟4.1、將化學(xué)氣相淀積薄膜刻蝕掉，僅剩下不易檢測的小顆粒；
步驟4.2、進行金屬刻蝕。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
