[發(fā)明專(zhuān)利]一種互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410003695.9
• 申請(qǐng)日: 2014-01-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103730572A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳心滿
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 廣州新諾專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100
• 代理人: 周端儀

1.一種互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

底層導(dǎo)電電極；

設(shè)于底層導(dǎo)電電極上表面的非晶ZnO薄膜介質(zhì)層；

設(shè)于非晶ZnO薄膜介質(zhì)層上表面的非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層；

設(shè)于非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層上表面的TiN電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電電極由Pt、Au、Pd、Al、Ag、Cu、或ITO制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電電極和TiN電極的厚度分別為50～500nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述非晶ZnO薄膜介質(zhì)層厚度為5～200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層的厚度為4～50nm，其中Mg與Zn的原子數(shù)量比范圍在0～1內(nèi)。

6.一種制備權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的互補(bǔ)型阻存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基底上制備所述底層導(dǎo)電電極；

在底層導(dǎo)電電極上表面制備非晶ZnO薄膜介質(zhì)層；

在非晶ZnO薄膜介質(zhì)層上表面制備非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層；

在非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層上表面鍍上TiN電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)型阻存儲(chǔ)器的方法，其特征在于：采用磁控濺射在底層導(dǎo)電電極Pt、Au、Pd、Al、Ag、Cu、或ITO上制備非晶ZnO薄膜介質(zhì)層，濺射靶材為ZnO陶瓷，襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氬氣與氧氣的混合氣體，氣壓為10^-4Pa，濺射功率為100W。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)型阻存儲(chǔ)器的方法，其特征在于：采用磁控濺射在非晶ZnO薄膜介質(zhì)層上表面制備非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層，濺射靶材為Mg_0.1Zn_0.9O陶瓷，襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氬氣與氧氣的混合氣體，氣壓為10^-4Pa，濺射功率為100W。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)型阻存儲(chǔ)器的方法，其特征在于：采用磁控濺射在非晶MgZnO薄膜介質(zhì)層上表面制備厚度為100nm，電極大小為直徑100μm的TiN電極，濺射靶材為T(mén)iN靶，襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氬氣，氣壓為0.1Pa，濺射功率為100W。