[發明專利]非易失性存儲器件

有效

• 申請號: 201410003375.3
• 申請日: 2014-01-03
• 公開（公告）號: CN104217758B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 樸進壽
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

1.一種非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件包括第一存儲塊至第N存儲塊，其中N為整數且N≥3，以及

其中所述第一存儲塊至第N存儲塊中的每一存儲塊包括：

第一存儲串至第M-1存儲串，其中所述第一存儲串至第M-1存儲串中的每一存儲串包括漏極側存儲器單元、源極側存儲器單元、以及連接所述漏極側存儲器單元與所述源極側存儲器單元的管道晶體管，其中M為整數且M≥2；以及

第M存儲串，其包括鄰近第一存儲串至第M-1存儲串中的所述第一存儲串而形成的漏極側存儲器單元，且包括鄰近所述第一存儲串至第M-1存儲串中的第M-1存儲串而形成的源極側存儲器單元，

其中存儲塊中的每一個存儲塊對應于擦除操作的單位。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中由第一管道晶體管連接所述第一存儲塊至第N存儲塊中的第X存儲塊的第M存儲串的所述漏極側存儲器單元與所述第一存儲塊至第N存儲塊中的第X-1存儲塊的所述第M存儲串的所述源極側存儲器單元，其中X為整數且2≤X≤N-1，且其中

由第二管道晶體管連接所述第X存儲塊的所述第M存儲串的源極側存儲器單元與第X+1存儲塊的所述第M存儲串的漏極側存儲器單元。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲器件，其中在所述第一存儲塊至第N存儲塊中的每一存儲塊中，所述第一存儲串的所述漏極側存儲器單元與所述第M存儲串的所述漏極側存儲器單元共用字線，以及

其中所述第M-1存儲串的所述源極側存儲器單元和所述第M存儲串的所述源極側存儲器單元共用字線。

4.如權利要求2所述的非易失性存儲器件，其中在用于對所述第X存儲塊的所述第M存儲串的所述漏極側存儲器單元中的漏極側存儲器單元進行編程的操作期間，所述第X存儲塊的所述第M存儲串的所述漏極側存儲器單元和所述第X-1存儲塊的所述第M存儲串的所述源極側存儲器單元被控制成作為一個存儲串進行操作。

5.如權利要求2所述的非易失性存儲器件，其中在用于對所述第X存儲塊的所述第M存儲串的所述源極側存儲器單元中的源極側存儲器單元進行編程的操作期間，所述第X存儲塊的所述第M存儲串的所述源極側存儲器單元和所述第X+1存儲塊的所述第M存儲串的所述漏極側存儲器單元被控制成作為一個存儲串進行操作。

6.如權利要求2所述的非易失性存儲器件，其中在用于對所述第X存儲塊進行擦除的操作期間，將擦除電壓施加至所述第一存儲串至第M-1存儲串的每一存儲串的端部，以及將低于所述擦除電壓的電壓施加至對應于所述第一存儲串至第M-1存儲串的存儲器單元的字線。

7.如權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中在用于所述第X存儲塊的擦除操作期間，對應于不同于所述第X存儲塊的存儲塊的存儲器單元的字線具有與所述擦除電壓相同的電壓電平。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述第一存儲塊至第N存儲塊中的每一存儲塊包括多個所述第一存儲串至第M存儲串。

9.一種非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件包括多個存儲塊，其中所述多個存儲塊中的每一存儲塊包括：

布置于第一漏極側存儲串中的多個第一漏極側存儲器單元，以及布置于第一源極側存儲串中的多個第一源極側存儲器單元，其中由第一管道晶體管連接所述第一漏極側存儲串和所述第一源極側存儲串；

布置于第二漏極側存儲串中的多個第二漏極側存儲器單元和布置于第二源極側存儲串中的多個第二源極側存儲器單元，其中

所述第二漏極側存儲串經由第二管道晶體管連接至所述多個存儲塊中的鄰近存儲塊的第二源極側存儲串，以及

所述第二源極側存儲串經由第三管道晶體管連接至所述多個存儲塊中的不同鄰近存儲塊的第二漏極側存儲串,

其中存儲塊中的每一個存儲塊對應于擦除操作的單位。

10.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中所述多個存儲塊包括第一存儲塊、鄰近所述第一存儲塊布置的第二存儲塊、以及鄰近所述第二存儲塊布置的第三存儲塊。