[發明專利]一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法

有效

• 申請號: 201410002151.0
• 申請日: 2014-01-03
• 公開（公告）號: CN103713251A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 儲志兵
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及LED芯片制作技術領域，具體為一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法。

背景技術

在現有LED芯片抽測條件下，其電壓值（Vf₁）是一項重要的電性參數，而影響到Vf₁值高的因素有很多，?ITO膜層的質量就是其中一個重要的影響因素之一。實際生產中尚沒有一種簡易的方法能直接驗證出Vf₁值高與ITO膜層有直接的關系。

發明內容

????本發明所解決的技術問題在于提供一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，以解決上述背景技術中的問題。

本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現：一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，包括以下步驟：

1）選取測試中Vf₁值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液20～60sec以除去其鈍化層二氧化硅；?

2）將上述已經去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進行黃光P-SiO₂光刻，以保護P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液100～150sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進行ITO蒸鍍；

3）蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻100～200sec，?露出N電極及走道；

4）?去光阻后，再進行ITO熔合,最后完成點測。

所述驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，其步驟為：選取測試中Vf₁值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液40sec以除去其鈍化層二氧化硅；?將上述已經去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進行黃光P-SiO₂光刻，以保護P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液120sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進行ITO蒸鍍；蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻150sec，?露出N電極及走道；去光阻后，再進行ITO熔合,最后完成點測。

與已公開技術相比，本發明存在以下優點：本發明高效驗證電壓（Vf₁）偏高與所蒸鍍ITO膜層質量之間的聯系，從而可以很直觀的判定出ITO膜質量對電性Vf₁的影響，對產線ITO蒸鍍工序做出預警，有利于提升產品品質。

附圖說明

圖1為本發明的芯片結構示意圖。

圖中：1、P電極，2、新鍍ITO，3、殘留ITO，4、P-SiO₂層，5、N電極。

具體實施方式層

為了使本發明的技術手段、創作特征、工作流程、使用方法達成目的與功效易于明白了解，下面將結合本發明實施例，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，包括以下步驟：

1）選取測試中Vf₁值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液20～60sec以除去其鈍化層二氧化硅；?

2）將上述已經去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進行黃光P-SiO₂光刻，以保護P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液100～150sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進行ITO蒸鍍；

3）蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻100～200sec，?露出N電極及走道；

4）?去光阻后，再進行ITO熔合,最后完成點測。

實施例1

一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，包括以下步驟：首先將芯片鈍化層二氧化硅除去，露出下面的ITO膜層；?為了保護金屬P電極1以及電極下墊的氧化硅與ITO膜不被溶液破壞，需要進行黃光P-SiO2光刻；光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液將其他地方多余的ITO膜去掉；?再浸泡去膜劑將P-SiO2光刻后的光阻去除掉，沖洗、甩干后重新進行ITO蒸鍍；蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻，將N電極以及走道區域的ITO裸露出來，浸泡ITO蝕刻液蝕去除；然后浸泡去膜劑將ITO光刻后的光阻去掉，沖洗、甩干后進行ITO熔合,最后完成點測。