[發(fā)明專利]一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關(guān)系的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410002151.0
• 申請日: 2014-01-03
• 公開（公告）號: CN103713251A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 儲志兵
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關(guān)系的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）選取測試中Vf₁值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液20～60sec以除去其鈍化層二氧化硅；?

2）將上述已經(jīng)去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進(jìn)行黃光P-SiO₂光刻，以保護(hù)P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液100～150sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進(jìn)行ITO蒸鍍；

3）蒸鍍完成后，進(jìn)行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻100～200sec，?露出N電極及走道；

4）?去光阻后，再進(jìn)行ITO熔合,最后完成點測。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關(guān)系的方法，其特征在于：所述驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關(guān)系的方法，其步驟為：選取測試中Vf₁值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液40sec以除去其鈍化層二氧化硅；?將上述已經(jīng)去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進(jìn)行黃光P-SiO₂光刻，以保護(hù)P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液120sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進(jìn)行ITO蒸鍍；蒸鍍完成后，進(jìn)行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻150sec，?露出N電極及走道；去光阻后，再進(jìn)行ITO熔合,最后完成點測。