[發明專利]一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法有效
| 申請號： | 201410002151.0 | 申請日： | 2014-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN103713251A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 儲志兵 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 驗證 led 白光 芯片 電壓 ito 之間 關系 方法 | ||
1.一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，其特征在于：包括以下步驟：
1）選取測試中Vf1值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液20～60sec以除去其鈍化層二氧化硅；?
2）將上述已經去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進行黃光P-SiO2光刻，以保護P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液100～150sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進行ITO蒸鍍；
3）蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻100～200sec，?露出N電極及走道；
4）?去光阻后，再進行ITO熔合,最后完成點測。
2.根據權利要求1所述的一種驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，其特征在于：所述驗證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關系的方法，其步驟為：選取測試中Vf1值高的異常芯片，?首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液40sec以除去其鈍化層二氧化硅；?將上述已經去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進行黃光P-SiO2光刻，以保護P電極以及電極下面的ITO膜層，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液120sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進行ITO蒸鍍；蒸鍍完成后，進行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻150sec，?露出N電極及走道；去光阻后，再進行ITO熔合,最后完成點測。
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