[發(fā)明專利]在包覆的III-V族溝道材料中實現(xiàn)高遷移率的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380079215.0 | 申請日： | 2013-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN105900243A | 公開（公告）日： | 2016-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | G·杜威;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·S·周;M·拉多薩夫列維奇;R·皮拉里塞泰;B·舒-金 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陳松濤 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | iii 溝道 材料 實現(xiàn) 遷移率 方法 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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