[發(fā)明專利]在包覆的III-V族溝道材料中實(shí)現(xiàn)高遷移率的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380079215.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105900243A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·杜威;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·S·周;M·拉多薩夫列維奇;R·皮拉里塞泰;B·舒-金 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/78 | 分類號(hào): | H01L29/78 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;陳松濤 |
| 地址: | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | iii 溝道 材料 實(shí)現(xiàn) 遷移率 方法 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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