[發明專利]用于后段(BEOL)互連的減數法自對準過孔和插塞圖案化有效
| 申請號: | 201380079168.X | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN105493250B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | R·L·布里斯托爾;F·格瑟特萊恩;R·E·申克爾;P·A·尼許斯;C·H·華萊士;俞輝在 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/3205 | 分類號: | H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 后段 beol 互連 減數 對準 圖案 | ||
1.一種用于集成電路的互連結構,所述互連結構包括:
設置在基板上方的所述互連結構的第一層,所述第一層包括第一方向上的交替的金屬線和電介質線的第一格柵,其中,所述電介質線的最高表面高于所述金屬線的最高表面;以及
設置在所述互連結構的所述第一層上方的所述互連結構的第二層,所述第二層包括第二方向上的交替的金屬線和電介質線的第二格柵,所述第二方向垂直于所述第一方向,其中,所述電介質線的最低表面低于所述金屬線的最低表面,其中,所述第二格柵的所述電介質線與所述第一格柵的所述電介質線重疊并接觸,但所述第二格柵的所述電介質線與所述第一格柵的所述電介質線不同,并且其中,所述第一格柵的所述金屬線與所述第二格柵的所述金屬線間隔開,并且其中所述第一格柵的所述金屬線不與所述第二格柵的所述金屬線接觸。
2.根據權利要求1所述的互連結構,還包括:
導電過孔,所述導電過孔設置在所述第一格柵的金屬線與所述第二格柵的金屬線之間并將所述第一格柵的金屬線耦合到所述第二格柵的金屬線,所述導電過孔與所述第一格柵的電介質線的部分和所述第二格柵的電介質線的部分直接相鄰并處于同一平面中。
3.根據權利要求2所述的互連結構,其中,所述導電過孔的中心與所述第一格柵的所述金屬線的中心直接對準,并且與所述第二格柵的所述金屬線的中心直接對準。
4.根據權利要求1所述的互連結構,其中,所述第一格柵的所述電介質線包括第一電介質材料,并且所述第二格柵的所述電介質線包括不同的第二電介質材料。
5.根據權利要求1所述的互連結構,其中,所述第一格柵的所述電介質線和所述第二格柵的所述電介質線包括相同的電介質材料。
6.根據權利要求1所述的互連結構,其中,所述第二格柵的金屬線被插塞中斷,所述插塞的中心與所述第一格柵的電介質線的中心直接對準,所述插塞包括第一電介質材料,其中,所述插塞與所述第一格柵的所述電介質線和所述第二格柵的電介質線不同,但所述插塞與所述第一格柵的所述電介質線和所述第二格柵的電介質線接觸。
7.根據權利要求6所述的互連結構,其中,所述第一格柵的所述電介質線包括第二電介質材料,并且所述第二格柵的所述電介質線包括第三電介質材料,并且其中,所述第一電介質材料、所述第二電介質材料、以及所述第三電介質材料都不相同。
8.根據權利要求6所述的互連結構,其中,所述第一格柵的所述電介質線包括第二電介質材料,并且所述第二格柵的所述電介質線包括第三電介質材料,并且其中,所述第一電介質材料、所述第二電介質材料、以及所述第三電介質材料中的兩種或更多種材料是相同的。
9.根據權利要求1所述的互連結構,還包括:
電介質區,所述電介質區設置在所述第一格柵的金屬線與所述第二格柵的金屬線之間,并且所述電介質區與所述第一格柵的所述金屬線和所述第二格柵的所述金屬線接觸,所述電介質區與所述第一格柵的電介質線的部分和所述第二格柵的電介質線的部分直接相鄰并處于同一平面中。
10.根據權利要求9所述的互連結構,其中,所述電介質區包括第一電介質材料,所述第一格柵的所述電介質線包括第二電介質材料,并且所述第二格柵的所述電介質線包括第三電介質材料,并且其中,所述第一電介質材料、所述第二電介質材料、以及所述第三電介質材料都不相同。
11.根據權利要求9所述的互連結構,其中,所述電介質區包括第一電介質材料,所述第一格柵的所述電介質線包括第二電介質材料,并且所述第二格柵的所述電介質線包括第三電介質材料,并且其中,所述第一電介質材料、所述第二電介質材料、以及所述第三電介質材料中的兩種或更多種材料是相同的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





