[發明專利]為嵌入式電阻器形成可調溫度系數的方法

有效

• 申請號: 201380079153.3
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN105493234B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: W·哈菲茲;李呈光;C-H·簡
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;陳松濤

說明了形成具有可調電阻溫度系數的電阻器結構的方法。這些方法和結構可以包括在器件襯底上的源極開口/漏極開口附近的電阻器材料中形成開口，在電阻器材料與源極開口/漏極開口之間形成電介質材料，及更改電阻器材料，其中，借助更改調節電阻器材料的電阻溫度系數(TCR)。更改包括調整電阻器的長度，形成復合電阻器結構，及形成替換電阻器。

背景技術

隨著微電子技術向更高的性能發展，器件尺寸在縮小，這在制造最佳性能的器件特征時成為難題。例如，由于接觸面積的代際減小，尺寸縮小增大了多晶硅電阻器的接觸電阻。高接觸電阻可以引起多晶硅電阻器的更大電阻變化和減小的電阻溫度系數(TCR)。另外，隨著器件架構變得更為直立，例如在三維晶體管結構的情況下，例如FINFET，或者其他多柵晶體管器件，電阻器結構的接觸面積的縮小變得更為重要。

附圖說明

盡管說明書作出了結論，權利要求書特別指出并明確要求了特定實施例，但在結合附圖閱讀時，依據本發明的以下說明可以更易于確定這些實施例的優點，在附圖中：

圖1a-1h表示根據多個實施例的結構的橫截面視圖。

圖2a-2h表示根據實施例的結構的橫截面視圖。

圖3a-3h表示根據實施例的結構的橫截面視圖。

圖4a-4h表示根據實施例的結構的橫截面視圖。

圖5表示根據實施例的系統的橫截面視圖。

圖6表示根據實施例的系統的示意圖。

具體實施方式

在以下的詳細說明中參考了附圖，附圖示例性地顯示了可以實踐方法和結構的特定實施例。足夠詳細地說明了這些實施例，以使得本領域技術人員能夠實踐實施例。會理解，盡管不同，但多個實施例不一定是相互排斥的。例如，在不脫離實施例的精神和范圍的情況下，本文結合一個實施例所述的特定特征、結構或特性可以在其他實施例中實施。另外，會理解，在不脫離實施例的精神和范圍的情況下，可以修改單個元件在每一個公開的實施例內的位置或布置。以下的詳細說明因此不應視為限制性意義的，實施例的范圍僅由適當解釋的所附權利要求書連同授予權利要求書的等效替代的全部范圍來限定。在附圖中，相似的編號可以在全部幾個附圖中指代相同或相似的功能。

說明了形成并利用微電子結構的方法及相關結構，例如包括應變的源/漏結構的器件結構。這些方法/結構可以包括在器件襯底上的源極開口/漏極開口附近的電阻器材料中形成開口，在電阻器材料與源極開口/漏極開口之間形成電介質材料，及更改電阻器材料，其中，借助更改調節電阻器材料的電阻溫度系數(TCR)。更改包括調整電阻器的長度，形成復合電阻器結構，及形成替換電阻器。隨后可以形成電阻器鄰近的和在源極開口/漏極開口中的觸點材料。本文的實施例實現了TCR的調節，其實現了具有零TCR值的精密電阻器。

圖1a-1h示出了形成微電子結構的實施例的視圖，例如可調TCR電阻器結構，其中通過調整多晶硅長度來調節TCR。在實施例中，器件100可以包括襯底部分108(圖1a)。在實施例中，襯底104可以包括硅、無硅材料、單晶硅材料、多晶硅材料、壓電材料、III-V族材料和/和其他機電襯底材料的至少一個。在實施例中，器件100可以包括平面晶體管、例如三柵和/或finFET晶體管的多柵晶體管和納米線結構的一部分。

器件100可以進一步包括柵極結構105，其可以包括晶體管柵極結構105，例如平面、多柵極，或者納米線晶體管結構的一部分。在實施例中，柵極結構105可以包括未摻雜的多晶硅。柵極結構105可以進一步包括源極開口/漏極開口112，其布置在柵極結構105附近。源極區/漏極區110可以布置在襯底108中，并可以與柵極結構105相鄰。