[發明專利]為嵌入式電阻器形成可調溫度系數的方法

有效

• 申請號: 201380079153.3
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN105493234B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: W·哈菲茲;李呈光;C-H·簡
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;陳松濤

1.一種形成電阻器結構的方法，包括：

在位于器件襯底上并且鄰近源極開口/漏極開口的電阻器材料中形成開口；

對所述電阻器材料的在所述開口中的部分進行摻雜，其中，所述電阻器材料的與經摻雜的部分鄰近的一部分保持未摻雜；

在未摻雜的電阻器部分與所述源極開口/漏極開口之間形成電介質材料；

更改經摻雜的電阻器材料，其中，所述電阻器材料的溫度系數通過所述更改而被調節；以及

鄰近經摻雜的電阻器部分形成觸點材料，并且在所述源極開口/漏極開口中形成所述觸點材料。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，在形成所述觸點材料之后，通過圖案化和蝕刻所述經摻雜的電阻器的一部分來更改所述電阻器材料的溫度系數，其中，通過調整所述經摻雜的電阻器材料的長度來調節所述溫度系數。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，將氧化物材料布置在所述電阻器結構的頂部部分上。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，電阻器材料包括多晶硅材料，并且其中，所述摻雜包括硼摻雜。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，通過在所述經摻雜的電阻器材料的頂部部分上形成所述觸點材料的一部分來更改所述電阻器材料的溫度系數，其中，通過調整所述觸點材料的厚度來調節所述溫度系數。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，鄰近所述電阻器材料形成所述觸點材料，以在所述電阻器開口中形成電阻器觸點，并且其中，所述觸點材料在源極開口/漏極開口中形成源極觸點/漏極觸點，并且其中，同時形成所述電阻器觸點和所述源極觸點/漏極觸點。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，通過在所述經摻雜的電阻器材料上形成溫度系數高于所述經摻雜的電阻器材料的溫度系數的電阻材料以形成復合電阻器結構來更改所述經摻雜的電阻器材料的所述溫度系數。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，調整所述經摻雜的電阻器材料與所述溫度系數高于所述經摻雜的電阻器材料的溫度系數的電阻材料的比，以調節所述復合電阻器材料的電阻溫度系數。

9.根據權利要求7所述的方法，進一步包括，其中，所述溫度系數高于所述經摻雜的電阻器材料的溫度系數的電阻材料包括鎢、鎳和鈷中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，在形成所述源極觸點/漏極觸點之前，鄰近所述源極開口/漏極開口形成金屬柵極。

11.根據權利要求6所述的方法，進一步包括，其中，所述電阻器觸點包括直角L形狀。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，所述源極觸點/漏極觸點包括多柵晶體管的一部分。

13.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，其中，所述電阻器的電阻溫度系數包括約零ppm/℃。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，在形成所述源極觸點/漏極觸點之前去除所述電阻器材料的未摻雜的部分。

15.一種形成電阻器結構的方法，包括：

在位于器件襯底上并且鄰近源極開口/漏極開口的第一電阻器材料的一部分中形成凹陷；

在所述第一電阻器材料與所述源極開口/漏極開口之間形成電介質材料；

鄰近所述源極開口/漏極開口形成金屬柵極；

去除鄰近所述電介質材料的所述第一電阻器材料；

在所述凹陷中形成第二電阻器材料，其中，選擇所述第二電阻器材料以調節所述電阻器結構的電阻溫度系數；以及

在所述第二電阻器材料上形成電介質材料。