[發(fā)明專利]用于光半導(dǎo)體裝置用引線框的基體及其制造方法、使用該基體的光半導(dǎo)體裝置用引線框及其制造方法、以及光半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380078695.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN105453283A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林良聰;中津川達(dá)也;座間悟;松田晃;鈴木智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L31/12
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于光半導(dǎo)體裝置用引線框的基體及其制造方法、使用該基體的光半導(dǎo)體裝置用引線框及其制造方法、以及光半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

光半導(dǎo)體裝置用引線框被廣泛地用作利用例如LED(LightEmittingDiode：發(fā)光二極管)元件等光半導(dǎo)體元件即發(fā)光元件作為光源的各種顯示用、照明用光源的構(gòu)成部件。在該光半導(dǎo)體裝置中，例如在基板配置引線框，在該引線框上搭載發(fā)光元件后，為了防止由熱、濕氣、氧化等外部因素導(dǎo)致的發(fā)光元件及其周邊部位的劣化，利用樹脂對(duì)發(fā)光元件及其周圍進(jìn)行密封。

然而，在采用LED元件作為照明用光源的情況下，要求引線框的反射材料在可視光波長(zhǎng)(400nm～800nm)的整個(gè)區(qū)域中的反射率高(例如，相對(duì)于硫酸鋇及氧化鋁等基準(zhǔn)物質(zhì)的反射率在80％以上)。此外，作為形成白色光的LED的方法，主要大致分為以下三種方法：排列3個(gè)放出紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)全部顏色的芯片；采用使黃色熒光體分散到藍(lán)色LED芯片的密封樹脂；以及采用分別使RGB的熒光體分散到近紫外光區(qū)域的LED芯片的密封樹脂。以往，采用使黃色熒光體分散到藍(lán)色芯片的密封樹脂的方法是主流，但近年來由于演色性的問題而關(guān)注于采用發(fā)光波段包含紫外光區(qū)域的LED芯片的方法。根據(jù)該方法，要求光半導(dǎo)體裝置的反射材料在近紫外光區(qū)域(波長(zhǎng)340nm～400nm)和可視光區(qū)域(波長(zhǎng)400nm～800nm)的反射率高。

這樣，為了得到反射率高的表面，考慮采用平滑的基體作為引線框用的基體。

例如，在專利文獻(xiàn)1中提出了如下的平滑的基體：對(duì)由銅合金板或條構(gòu)成的基體的至少一個(gè)面電解處理后實(shí)施軋制加工，20°入射的光澤度在200％以上，并且表面粗糙度Rz在1.0μm以下。

但是，在專利文獻(xiàn)1中，記載了光澤度在200％以上、并且表面粗糙度Rz在1.0μm以下，但關(guān)于測(cè)定方向沒有明確記載。這是因?yàn)椋和ㄟ^軋制加工而在基體表面沿軋制平行方向產(chǎn)生被稱為軋制筋的加工痕跡，但有時(shí)光澤度根據(jù)軋制平行方向和軋制垂直方向的測(cè)定方向而大不相同。特別是作為用于光半導(dǎo)體裝置的引線框基體，由于軋制筋相對(duì)于光的反射而變成皺曲呈現(xiàn)，因此要求在軋制平行(長(zhǎng)邊)方向和軋制垂直(寬度)方向這兩方向上光澤度高。在該方面，專利文獻(xiàn)1中未對(duì)這些進(jìn)行研究，作為光半導(dǎo)體裝置用的引線框基體，需要進(jìn)一步的研究。此外，近年來，有時(shí)對(duì)引線框?qū)嵤┟浶渭庸ざ纬砂疾浚?duì)其側(cè)面實(shí)施鍍銀而形成高輸出型的光半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，有時(shí)軋制筋導(dǎo)致的凹凸變成起點(diǎn)而在脹形加工時(shí)發(fā)生破裂。因此，要求脹形加工性良好的光半導(dǎo)體裝置用引線框基體，專利文獻(xiàn)1中也未從該角度進(jìn)行研究。

并且，在安裝有LED元件的引線框上，特別是以提高可視光區(qū)域的光反射率(下面，稱為反射率)為目的而多形成有由銀或銀合金構(gòu)成的層(覆膜)。已知銀覆膜的可視光區(qū)域的反射率高，具體而言，已知在反射面形成鍍銀層(專利文獻(xiàn)2)、以及在形成銀或銀合金覆膜后在200℃以上實(shí)施30秒以上的熱處理，使該覆膜的結(jié)晶粒徑為0.5μm～30μm的范圍，并且使基底材料的表面粗糙度在0.5μm以上(專利文獻(xiàn)3)等。并且，作為另外的高反射化的方法，已知在銀合金反射膜中使表面粗糙度Ra在2.0nm以下(專利文獻(xiàn)4)等。

此外，作為提高反射率的電鍍的研究，如專利文獻(xiàn)2所述，在僅簡(jiǎn)單地形成銀覆膜或其合金覆膜的情況下，特別是近紫外光區(qū)域(波長(zhǎng)340nm～400nm)的反射率大幅降低，要求進(jìn)一步改善反射率。

此外，即使如專利文獻(xiàn)3所述在銀或銀合金的覆膜的結(jié)晶粒徑為0.5μm～30μm、并且基底的表面粗糙度在0.5μm以上的情況下，尚未維持反射率始終高的狀態(tài)，可以考慮有進(jìn)一步改善的余地。特別是從專利文獻(xiàn)3的圖8和圖9可見，在近紫外光區(qū)域(340nm～400nm)、特別是345nm～355nm附近可見吸收峰值。這相當(dāng)于當(dāng)使用發(fā)光波長(zhǎng)為375nm的LED芯片時(shí)反射率低于可視光區(qū)域的部分。此時(shí)，與搭載例如發(fā)光波長(zhǎng)為450nm的藍(lán)色LED芯片的情況相比，在使用發(fā)光波長(zhǎng)為375nm的LED芯片的情況下反射率低約10％。此外，當(dāng)通過熱處理調(diào)整為上述結(jié)晶粒徑后，有時(shí)由于殘留氧的影響而使銀氧化，相反地反射率降低，反射率改善方面無法得到足夠的效果。

并且，如專利文獻(xiàn)4中公開的那樣，為了形成表面粗糙度Ra在2nm以下那樣的非常平滑的覆膜，作為達(dá)成方法，濺射及蒸鍍法等PVD(物理蒸鍍)工序是必須的，不適合作為光半導(dǎo)體裝置那樣的要求大量生產(chǎn)性的方法。并且，當(dāng)粗糙度在2nm以下時(shí)，存在這樣的另外的問題：與形成于光半導(dǎo)體裝置的模塑樹脂之間的緊貼性極差。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)