[發明專利]用于光半導體裝置用引線框的基體及其制造方法、使用該基體的光半導體裝置用引線框及其制造方法、以及光半導體裝置

無效

• 申請號: 201380078695.9
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN105453283A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 小林良聰;中津川達也;座間悟;松田晃;鈴木智
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L31/12
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種用于光半導體裝置用引線框的基體，該基體通過軋制加工而形成，所述用于光半導體裝置用引線框的基體的特征在于，

以入射角60°測定的該基體表面的光澤度在相對于軋制方向的平行方向和垂直方向上分別為500％以上，

并且，該平行方向的光澤度與垂直方向的光澤度之比是0.8～1.2。

2.根據權利要求1所述的用于光半導體裝置用引線框的基體，其特征在于，

在所述基體上，在表面上形成的油坑的個數在100μm×100μm的面積中是50個以內。

3.根據權利要求1或2所述的用于光半導體裝置用引線框的基體，其特征在于，

在所述基體上形成有用于在引線框上搭載光半導體元件的凹部，該凹部呈碗狀。

4.一種光半導體裝置用引線框，其特征在于，

在權利要求1至3中的任一項所述的用于光半導體裝置用引線框的基體上的最表面，具有由銀、銀-硒合金、銀-銻合金、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-金合金、銀-鉑合金中的任一種構成的反射層。

5.根據權利要求4所述的光半導體裝置用引線框，其特征在于，

所述反射層的厚度是3μm以下。

6.根據權利要求4或5所述的光半導體裝置用引線框，其特征在于，

具有所述反射層的表面的借助于原子間力顯微鏡測定的表面粗糙度Sa是3nm以上且50nm以下。

7.根據權利要求4至6中的任一項所述的光半導體裝置用引線框，其特征在于，

在具有所述反射層的光半導體裝置用引線框中，波長450nm時的全反射率是95％以上。

8.一種用于光半導體裝置用引線框的基體的制造方法，其是制造權利要求1至3中的任一項所述的用于光半導體裝置用引線框的基體的方法，所述制造方法的特征在于，

軋制輥的表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.05μm以下，采用動力粘度為7mm²/s以下的軋制油，使軋制時的張力為200MPa～600MPa來進行精軋制。

9.一種光半導體裝置用引線框的制造方法，其是制造權利要求4至7中的任一項所述的光半導體裝置用引線框的方法，所述制造方法的特征在于，

至少通過電鍍法形成所述反射層。

10.一種光半導體裝置，其特征在于，

所述光半導體裝置是使用權利要求1至3中的任一項所述的用于光半導體裝置用引線框的基體而在光半導體元件搭載部上形成光的反射層之后，搭載光半導體元件而構成的。

11.一種光半導體裝置，其特征在于，

所述光半導體裝置是在權利要求4至7中的任一項所述的光半導體裝置用引線框上搭載光半導體元件而構成的。