[發明專利]多級掩模電路制造及多層電路

有效

• 申請號: 201380076184.3
• 申請日: 2013-04-30
• 公開（公告）號: CN105431797B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: P·梅;C·P·陶西格;M·阿爾曼扎-沃克曼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;H01L21/027;H01L21/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

電路制造使用多級掩模來圖案化多層電路的第一導體層。第一導體圖案化是要提供第一導體層與覆在多級掩模上面和位于多級掩模下中的一者的第二導體層之間的電隔離。在第二導體層覆蓋多級掩模的情況下，通過底切多級掩模來提供電隔離。替代地，在第二導體位于多級掩模下的情況下，第一導體包括橋接間隙式導體，并且可通過橋接間隙式導體以及第二導體層與第一導體層之間的絕緣層兩者來提供電隔離。

相關申請的交叉引用

無

關于聯邦資助研究或開發的聲明

無

背景技術

多層集成電路在多種電子器件的生產及經濟可行性上是日益重要的。例如，諸如但不限于有源矩陣背板及投射式電容觸摸傳感器之類的多層電路采用跨件(crossover)或跨橋(crossover bridge)來將電路的一部分(例如，第一電容電極)連接至多層電路的另一部分(例如，第二電容電極)，同時提供相對于多層電路的其他部分的電隔離。通常由單獨的層來提供這些跨件，該單獨的層通過絕緣體與多層電路的底下部分分離。在各種示例中，該絕緣體可為空氣或絕緣(例如，介電)材料。

附圖說明

可連同附圖參照下列詳細描述更易于了解根據本文所述原理的示例的各種特征，其中類似的附圖標記代表類似的結構元件，且其中：

圖1示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的多級掩模電路制造的方法的流程圖。

圖2A示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的多層電路在多級掩模電路制造期間的截面圖。

圖2B示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2A中所示的多層電路在蝕刻第一導體層之后的截面圖。

圖2C示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2B中所示的多層電路在沉積第二導體層之后的截面圖。

圖2D示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2C中所示的多層電路在用另一掩模材料覆蓋第二導體層之后的截面圖。

圖2E示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2D中所示的多層電路接著侵蝕另一掩模材料之后的截面圖。

圖2F示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2E中所示的多層電路接著蝕刻第二導體層的暴露部分之后的截面圖。

圖2G示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖2F中所示的多層電路在移除掩模材料之后的截面圖。

圖3示出了根據與本文中所述的原理一致的另一示例的一多級掩模電路制造的方法的流程圖。

圖4A示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的多層電路在根據多級掩模電路制造方法的制造期間的截面圖。

圖4B示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖4A中所示的多層電路在蝕刻之后的截面圖。

圖4C示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖4B中所示的多層電路在侵蝕多級掩模之后的截面圖。

圖4D示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖4C中所示的多層電路接著蝕刻之后的截面圖。

圖5示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的橋接間隙式導體的平面圖。

圖6A示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的投射式電容觸摸傳感器的平面圖。

圖6B示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖6A中所示的投射式電容觸摸傳感器的一部分的立體圖。

圖7A示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的投射式電容觸摸傳感器的一部分的展開立體圖。

圖7B示出了根據與本文中所述的原理一致的示例的圖7A中所示的投射式電容觸摸傳感器的部分的平面圖。