[發(fā)明專利]多級(jí)掩模電路制造及多層電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380076184.3
• 申請(qǐng)日: 2013-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN105431797B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·梅;C·P·陶西格;M·阿爾曼扎-沃克曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;H01L21/027;H01L21/32
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種多級(jí)掩模電路制造的方法，所述方法包括：

使用多級(jí)掩模來圖案化多層電路的第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層圖案化提供下列中的一者：

提供所述第一導(dǎo)體層與覆蓋所述多級(jí)掩模的第二導(dǎo)體層之間的電隔離，所述電隔離是通過底切所述多級(jí)掩模來提供的；以及

提供所述第一導(dǎo)體層與位于所述多級(jí)掩模下的第二導(dǎo)體層之間的電隔離，所述第一導(dǎo)體層包括橋接間隙式導(dǎo)體，所述電隔離是通過所述橋接間隙式導(dǎo)體以及所述第二導(dǎo)體層與所述第一導(dǎo)體層之間的絕緣層兩者來提供的。

2.如權(quán)利要求1所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中所述第二導(dǎo)體層覆蓋所述多級(jí)掩模，并且其中圖案化所述第一導(dǎo)體層包括：

將所述多級(jí)掩模施加于所述第一導(dǎo)體層上，所述第一導(dǎo)體層的一部分被所述多級(jí)掩模所暴露；

蝕刻所述第一導(dǎo)體層的暴露部分，以移除所述暴露部分并進(jìn)一步在所述多級(jí)掩模的周邊處提供所述第一導(dǎo)體層的底切以圖案化所述第一導(dǎo)體層；

沉積所述第二導(dǎo)體層，以覆蓋所述多級(jí)掩模以及被蝕刻所暴露的基板的一部分；以及

移除覆蓋所述多級(jí)掩模的所述第二導(dǎo)體層的一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中移除覆蓋所述多級(jí)掩模的所述第二導(dǎo)體層的一部分包括：

用另一掩模材料覆蓋所述多級(jí)掩模及所述基板上的所述第二導(dǎo)體層的表面；

侵蝕所述另一掩模材料，以暴露覆蓋所述多級(jí)掩模的所述第二導(dǎo)體層的所述部分；以及

蝕刻以移除所述第二導(dǎo)體層的暴露部分。

4.如權(quán)利要求2所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中所述多級(jí)掩模具有為所述多級(jí)掩模的薄區(qū)域的第一級(jí)，以及為所述多級(jí)掩模的相對(duì)較厚區(qū)域的第二級(jí)，所述第二導(dǎo)體層的經(jīng)移除部分為覆蓋所述第二級(jí)的一部分，沉積于所述第一級(jí)上的所述第二導(dǎo)體層的一部分形成一跨件，所述跨件位于經(jīng)圖案化的第一導(dǎo)體層的一部分上方且與其電隔離。

5.如權(quán)利要求3所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中所述多級(jí)掩模具有為所述多級(jí)掩模的薄區(qū)域的第一級(jí)，以及為所述多級(jí)掩模的相對(duì)較厚區(qū)域的第二級(jí)，所述第二導(dǎo)體層的經(jīng)移除部分為覆蓋所述第二級(jí)的一部分，沉積于所述第一級(jí)上的所述第二導(dǎo)體層的一部分形成一跨件，所述跨件位于經(jīng)圖案化的第一導(dǎo)體層的一部分上方且與其電隔離。

6.如權(quán)利要求2到5中任一項(xiàng)所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中當(dāng)所述第一導(dǎo)體層圖案化以提供所述第一導(dǎo)體層與覆蓋所述多級(jí)掩模的第二導(dǎo)體層之間的電隔離時(shí)，所述第一導(dǎo)體層包括橋接間隙式導(dǎo)體。

7.如權(quán)利要求1所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中所述第二導(dǎo)體層位于所述多級(jí)掩模下，并且其中圖案化第一導(dǎo)體層包括：

將所述多級(jí)掩模施加于所述第二導(dǎo)體層上；

通過所述多級(jí)掩模蝕刻，以移除被所述多級(jí)掩模所暴露的所述第二導(dǎo)體層、所述絕緣層及所述第一導(dǎo)體層的部分；

侵蝕所述多級(jí)掩模，以暴露在所述多級(jí)掩模的對(duì)應(yīng)于所述多級(jí)掩模的第一級(jí)的數(shù)個(gè)部分下面的所述第二導(dǎo)體層，所述多級(jí)掩模的第二級(jí)在侵蝕之后覆蓋所述第二導(dǎo)體層的其他部分；以及

蝕刻以移除通過侵蝕對(duì)應(yīng)于所述第一級(jí)的多級(jí)掩模部分而暴露的所述第二導(dǎo)體層的數(shù)個(gè)部分。

8.如權(quán)利要求7所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，進(jìn)一步包括：

將導(dǎo)電材料沉積在基板上以形成所述第一導(dǎo)體層；

圖案化所述第一導(dǎo)體層以形成所述橋接間隙式導(dǎo)體；

將所述絕緣層沉積在所述第一導(dǎo)體層的橋接間隙式導(dǎo)體上；以及

將所述第二導(dǎo)體層沉積在經(jīng)沉積的絕緣層上，

其中沉積導(dǎo)電材料、圖案化所述第一導(dǎo)體層、沉積所述絕緣層、以及沉積所述第二導(dǎo)體層是在將所述多級(jí)掩模施加于所述第二導(dǎo)體層上之前執(zhí)行的。

9.如權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的多級(jí)掩模電路制造的方法，其中所述第一導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)體層中的一者或兩者包含光學(xué)透明導(dǎo)體材料。