[發明專利]制造集成結構的方法和形成垂直堆疊存儲器單元的方法

在審

• 申請號: 201380075919.0
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN105144382A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 阿龍·R·威爾遜;法蒂瑪·雅遜·席賽克-艾吉
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種制造集成結構的方法，其包含：

形成開口以部分地延伸穿過交替第一層級和第二層級的堆疊；

沿所述開口的側壁形成襯里；和

利用穿透所述第一層級和第二層級且去除實質上所有的所述襯里的蝕刻條件使所述開口延伸到所述堆疊中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述延伸的開口具有大于約30的縱橫比。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻條件去除整個所述襯里。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層級和第二層級分別包含二氧化硅和導電摻雜的硅；且其中所述襯里包含硅化鎢、氮化鈦、氮化硅、碳、多晶型硅和具有高于二氧化硅的介電常數的氧化物中的一或多者。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二層級包含導電摻雜的多晶硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層級和第二層級分別包含二氧化硅和導電摻雜的硅；其中所述襯里包含氮化硅；且其中所述蝕刻條件利用HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層級和第二層級分別包含二氧化硅和導電摻雜的硅；其中所述襯里包含氮化硅；且其中所述蝕刻條件利用HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

8.一種制造集成結構的方法，其包含：

形成開口以部分地延伸穿過交替第一層級和第二層級的堆疊；

沿所述開口的側壁形成襯里；所述襯里具有在大于0納米到約20納米范圍內的厚度；和

在所述襯里沿所述側壁的同時，使所述開口延伸到所述堆疊中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述開口的所述延伸利用包含鹵素和/或碳的蝕刻。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻包含HBr、CH₂F₂、CH₄、C₂H₂、H₂、NF₃、C₄F₈、C₄F₆、O₂、Ar、CHF₃、CH₃F、BCl₃和SF₆中的一或多者。

11.根據權利要求8所述的方法，其中在所述蝕刻期間至少部分地消耗襯里。

12.根據權利要求8所述的方法，其中在所述蝕刻期間不消耗襯里。

13.根據權利要求8所述的方法，其中所述襯里具有在約4納米到約10納米范圍內的厚度。

14.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一層級和第二層級分別是電絕緣層級和導電層級。

15.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一層級和第二層級分別包含二氧化硅和導電摻雜的硅。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述襯里包含導電材料。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述襯里包含硅化鎢和氮化鈦中的一者或兩者。