[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380075525.5
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN105452886B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石井稔二;槙平尚宏;巖崎秀和;松橋潤
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 陳偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，例如涉及包括檢查半導(dǎo)體器件的電特性的工序在內(nèi)的半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

在JP特開2010-67755號公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中記載了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括作為DC/DC變換器的構(gòu)成要素的高壓側(cè)MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、低壓側(cè)MOSFET以及控制電路。

在JP特開2002-71716號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中記載了一種將壓縮螺旋彈簧以橫躺的狀態(tài)安裝在IC插座的觸針上的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開2010-67755號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：JP特開2002-71716號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

在半導(dǎo)體器件的制造工序中，存在檢查半導(dǎo)體器件的電特性的檢查工序。例如，在該檢查工序中，使插座端子與設(shè)于半導(dǎo)體器件的引線接觸，從該插座端子向引線流過電流。在這種情況下，向與引線電連接的半導(dǎo)體芯片供給電流，檢查形成于半導(dǎo)體芯片內(nèi)的半導(dǎo)體元件等的電特性。此時(shí)，本發(fā)明發(fā)明人的研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，尤其當(dāng)供給的電流量增加時(shí)，根據(jù)引線與插座端子的連接方式會(huì)引起以半導(dǎo)體器件的外觀不良為代表的成品率下降或者插座端子的壽命變短。因此，從謀求半導(dǎo)體器件的成品率提高和插座端子的壽命延長的觀點(diǎn)出發(fā)，希望鉆研引線與插座端子的連接方式。

根據(jù)本說明書的描述以及附圖可以理解本發(fā)明的上述以及其他目的和新特征。

一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法包括檢查半導(dǎo)體器件的電特性的工序。在該工序中，將與設(shè)于半導(dǎo)體器件的外部端子接觸的插座端子的至少一部分構(gòu)成為具有：主體部，其具有支承部；板狀部位，其與支承部連接，且具有向被檢查器件的配置側(cè)突出的前端部；和多個(gè)突起部，其一體地設(shè)于前端部。

發(fā)明的效果

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)提高半導(dǎo)體器件的成品率。

另外，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)延長插座端子的壽命。

附圖說明

圖1是示出降壓型DC/DC變換器的電路結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是示出高壓側(cè)MOS晶體管和低壓側(cè)MOS晶體管的時(shí)序圖的圖。

圖3是示出實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是從下表面(背面)觀察實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。

圖5是示出實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。

圖6的(A)是示出引線框架的示意性的整體結(jié)構(gòu)的圖，圖6的(B)是放大示出圖6的(A)所示的引線框架的一部分的圖，圖6的(C)是進(jìn)一步地放大示出圖6的(B)所示的引線框架的一部分的圖。

圖7是示出實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖。

圖8是示出接著圖7的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖。

圖9是示出接著圖8的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖。

圖10是示出接著圖9的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖。

圖11的(A)是示出接著圖10的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖，圖11的(B)是放大圖11的(A)的一部分的放大圖。

圖12是示出接著圖11的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖。

圖13是示出接著圖12的半導(dǎo)體器件的制造工序的圖。

圖14的(A)是示出接著圖13的半導(dǎo)體器件的制造工序的俯視圖，圖14的(B)是圖14的(A)的側(cè)視圖。

圖15是接著圖14的半導(dǎo)體器件的制造工序，圖15的(A)是示出該工序的俯視圖，圖15的(B)是示出該工序的側(cè)視圖，圖15的(C)是示出通過該工序切片得到的半導(dǎo)體器件的俯視圖。

圖16是示出功率MOS晶體管的截面結(jié)構(gòu)例子的圖。

圖17是示出對構(gòu)成DC/DC變換器的高壓側(cè)MOS芯片的熱阻進(jìn)行評估的測試工序的流程的流程圖。

圖18是含有作為DC/DC變換器的構(gòu)成要素的高壓側(cè)MOS晶體管、低壓側(cè)MOS晶體管以及控制電路在內(nèi)的電路框圖，且是對室溫狀態(tài)下的體二極管的VF(壓降)進(jìn)行測定的圖。

圖19是含有作為DC/DC變換器的構(gòu)成要素的高壓側(cè)MOS晶體管、低壓側(cè)MOS晶體管以及控制電路在內(nèi)的電路框圖，且是向高壓側(cè)MOS晶體管流過加熱電流的圖。

圖20是含有作為DC/DC變換器的構(gòu)成要素的高壓側(cè)MOS晶體管、低壓側(cè)MOS晶體管以及控制電路在內(nèi)的電路框圖，且是對加熱狀態(tài)下的體二極管的VF進(jìn)行測定的圖。