[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201380072994.1 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN105074880B | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 石井淳一;岡本浩一 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一過濾器 供給配管 基板處理裝置 氣泡捕捉 壓力損失 噴嘴 處理液 處理液供給部 處理基板 處理液中 基板 噴出 附著 去除 捕捉 | ||
提供以簡單的機構減少附著于基板的顆粒的量的技術。基板處理裝置(10)是從噴嘴(11)噴出處理液來處理基板(9)的裝置。基板處理裝置(10)具有供給配管(30)以及氣泡捕捉部(F2)。供給配管(30)的一端經由去除顆粒的第一過濾器(F1)與供給處理液的處理液供給部(20)的槽(21)連接,供給配管(30)的另一端與噴嘴(11)連接。氣泡捕捉部(F2)安裝在供給配管(30)的第一過濾器(F1)與噴嘴(11)之間的位置,捕捉處理液中含有的氣泡(Ba1)。氣泡捕捉部(F2)引起的壓力損失(PL2)與所述第一過濾器(F1)引起的壓力損失(PL1)大致相同或比所述第一過濾器(F1)引起的壓力損失(PL1)小。
技術領域
本發明涉及對基板進行處理的基板處理裝置,特別地,涉及減少附著于基板的顆粒的量的技術。
背景技術
以往,為了減少附著于基板的顆粒,將去除處理液的顆粒作為目的,存在將具有與要捕捉的顆粒的尺寸相匹配的孔徑的過濾器安裝在配管上的情況(例如,專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:JP特開2008-66351號公報
發明內容
發明要解決的問題
然而,若為了去除更細小的顆粒,而設置孔徑小的過濾器,或者設置多個過濾器,則會導致配管內的壓力損失變大。因此,為了能夠利用高壓輸送液體,考慮使用高性能的泵,但會導入如下的各種問題,泵的巨大化,泵消耗的電力等驅動能量增大,成本的增加。另外,為了使壓力損失變小,也考慮將過濾器變大,但在過濾器的安裝位置存在制約。
另外,若壓力損失變大,則過濾器的下游側的配管內壓力急劇地降低,從而易于在處理液中產生氣泡101(參照圖10)。如圖10所示,存在在產生的氣泡101的邊界上附著聚集多個的顆粒103的情況。這樣,由于附著有多個顆粒103的氣泡101與基板109的表面接觸,產生在基板109的表面上附著的顆粒量增大的問題。
因此,需要能夠以比較簡單的結構抑制附著于基板顆粒的技術。
本發明鑒于上述問題而提出,目的在于提供能夠以簡單的結構減少附著于基板的顆粒的量的技術。
用于解決問題的手段
為了解決上述問題,第一技術方案的發明為基板處理裝置,噴出處理液來處理基板,其特征在于,具有:噴出部,向所述基板噴出處理液,供給配管,一端經由第一過濾器與處理液供給部連接,另一端與所述噴出部連接,該第一過濾器用于去除顆粒,該處理液供給部供給所述處理液,氣泡捕捉部,安裝在所述供給配管的所述第一過濾器與所述噴出部之間的位置,捕捉所述處理液中含有的氣泡;所述氣泡捕捉部引起的壓力損失與所述第一過濾器引起的壓力損失大致相同,或者小于所述第一過濾器引起的壓力損失。
另外,第二技術方案的發明,在第一技術方案的基板處理裝置中,所述氣泡捕捉部具有第二過濾器,所述第二過濾器的孔徑比所述第一過濾器的孔徑大。
另外,第三技術方案的發明,在第一技術方案的基板處理裝置中,所述氣泡捕捉部具有中空絲膜。
另外,第四技術方案的發明,在第一~第三技術方案中任一項所述的基板處理裝置中,所述供給配管的從所述氣泡捕捉部到所述噴出部的距離比所述供給配管的從壓力源到所述氣泡捕捉部的距離短,所述壓送源壓送所述處理液。
發明效果
根據第一技術方案的基板處理裝置,能夠通過氣泡捕捉部對穿過第一過濾器的處理液中產生的氣泡進行捕捉。由此,能夠減少附著有顆粒的氣泡附著于基板。另外,通過使氣泡捕捉部的壓力損失和第一過濾器的壓力損失大致相同,或比第一過濾器的壓力損失小,能夠抑制在穿過第二過濾器的處理液中產生氣泡。由此,能夠減少附著于基板的顆粒量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





