[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201380072994.1 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN105074880B | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 石井淳一;岡本浩一 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一過濾器 供給配管 基板處理裝置 氣泡捕捉 壓力損失 噴嘴 處理液 處理液供給部 處理基板 處理液中 基板 噴出 附著 去除 捕捉 | ||
1.一種基板處理裝置,噴出處理液來處理基板,其特征在于,
具有:
噴出部,向所述基板噴出處理液,
供給配管,一端經由第一過濾器與處理液供給部連接,另一端與所述噴出部連接,該第一過濾器用于去除顆粒,該處理液供給部供給所述處理液,
氣泡捕捉部,安裝在所述供給配管的所述第一過濾器與所述噴出部之間的位置,對經過所述第一過濾器而在所述處理液中產生的氣泡進行捕捉;
所述氣泡捕捉部引起的壓力損失與所述第一過濾器引起的壓力損失大致相同,或者小于所述第一過濾器引起的壓力損失。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述氣泡捕捉部具有第二過濾器,
所述第二過濾器的孔徑比所述第一過濾器的孔徑的2倍大。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述氣泡捕捉部具有中空絲膜。
4.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述供給配管的從所述氣泡捕捉部到所述噴出部的距離比所述供給配管的從壓力源到所述氣泡捕捉部的距離短,所述壓力源壓送所述處理液。
5.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一過濾器的孔徑為10nm~50nm。
6.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述氣泡捕捉部具有將氣泡排出到外部的排氣機構。
7.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有供給閥,該供給閥通過使所述供給配管的流路連通或斷開,來控制所述處理液從所述處理液供給部向所述噴出部的供給,
所述供給閥設置在所述供給配管上的比所述氣泡捕捉部更靠近所述處理液供給部側的位置。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述供給配管上的從所述氣泡捕捉部到所述噴出部之間沒有設置用于使所述供給配管的所述流路連通或斷開的閥。
9.如權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一過濾器配置在所述供給配管上的所述供給閥與所述氣泡捕捉部之間。
10.如權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第二過濾器的孔徑為所述第一過濾器的孔徑的5倍以上。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第二過濾器的孔徑為50nm~200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





