[發明專利]導體電路裝置以及用于制造所述導體電路裝置的方法

在審

• 申請號: 201380068346.9
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN104871652A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: J.諾瓦克;A.普法伊爾
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/14;H05K3/12;H05K3/10;B60R16/00;C23C4/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李永波;宣力偉

1.導體電路裝置（1），包括：

-基底（3）；

-構造在所述基底（3）的表面上的、垂直于所述表面來延伸的結構（33；431；432；433；531；532；63）；以及

-被分配給所述結構（33；431；432；433；531；532；63）的、有傳導能力的區段（12；13；551；552；651；652）。

2.按權利要求1所述的導體電路裝置（1），其中所述被分配給結構（33；431；432；433；531；532；63）的、有傳導能力的區段（12；13；551；552；651；652）構造在所述結構（33；431；432；433；531；532；63）上。

3.按前述權利要求中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述結構（33；431；432；433；531；532；63）包括突出的和/或加深的結構區段。

4.按前述權利要求中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述結構（33；431；432；433；531；532；63）具有縱向伸展部并且所述被分配給結構（33；431；432；433；531；532；63）的、有傳導能力的區段（12；13；551；552；651；652）沿著所述結構的縱向伸展部形成導體電路（12；13；551；552；651；652）。

5.按前述權利要求中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述結構（33；431；432；433；531；532；63）在制造所述基底（3）時與所述基底（3）一體地構成。

6.按前述權利要求中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述有傳導能力的區段（12；13；551；552；651；652）通過用材料顆粒、尤其是由有傳導能力的材料構成的顆粒進行的噴射來構成。

7.按權利要求1到5中任一項所述的導體電路裝置（1），其中用射束進行所述噴射，所述射束在噴射位置上轉換所述基底（3）或者在所述基底（3）上所設置的層。

8.按前述權利要求中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述結構（33）以從所述基底（3）突起的方式來構成，并且在所述結構（33）的第一側翼（261）上構成有傳導能力的第一區段（12），并且在所述結構（33）的第二側翼（262）上構成有傳導能力的第二區段（13），其中所述結構（33）沿著垂直于所述基底的表面延伸的方向伸出超過所述有傳導能力的第一區段（12）和所述有傳導能力的第二區段（13），以便將所述有傳導能力的區段（12、13）在電方面彼此分開。

9.按權利要求7或8中任一項所述的導體電路裝置（1），其中所述垂直的結構（33）構造為隔條（33）。

10.按權利要求1到9中任一項所述的導體電路裝置（1），其中在所述基底（3）的表面上形成至少一個第一結構（431；432；433；531）和一個第二結構（431；432；433；532），其中所述第一結構（431；432；433；531）包括至少一個傾斜的第一側翼（441；442；443；541）并且所述第二結構（431；432；433；532）包括至少一個傾斜的第一側翼（441；442；443；542），其中在所述第一結構（531）的傾斜的第一側翼（541）上構造了有傳導能力的第一區段（591）并且在所述第二結構（532）的傾斜的第一側翼（542）上構造了有傳導能力的第二區段。

11.用于將導體電路（12；13；551；552；651；652）施加在基底（3）的表面上的方法，包括以下步驟：

-提供基底（3），該基底具有在其上面構成的、垂直于表面延伸的結構（431；432；433；531、532、63）；

-定向地將有傳導能力的材料施加到所述基底（3）上，以便在所述結構（33；431；432；433；531；532；63）上構造有傳導能力的區段（12；13；551；552；651；652）。

12.按權利要求11所述的方法，其中從一種方向來將有傳導能力的材料定向地施加到所述基底（3）上，沿著這種方向通過所述垂直的結構（33；431；432；433；531；532；63）來遮蔽一個區域。