[發明專利]用于光刻設備的襯底支撐件和光刻設備

在審

• 申請號: 201380065901.2
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104937494A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: E·阿勒馬克;A·考沃埃特斯;R·拉法爾;N·坦凱特;C·路吉騰;H-K·尼恩惠斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年12月17日遞交的美國臨時申請61/738,344以及于2013年9月4日遞交的美國臨時申請61/873,806的權益，其在此通過引用將它們的全文并入本文中。

技術領域

本發明涉及光刻設備和用于光刻設備的襯底支撐件。

背景技術

光刻設備是一種將期望的圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成將要在所述IC的單層上形成的電路圖案。這種圖案可以被轉移到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一部分管芯、一個或若干個管芯)上。通常，圖案轉移是通過將圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來實現的。通常，單個襯底將包含被連續形成圖案的相鄰的目標部分的網絡。

光刻術被廣泛地看作是制造IC和其他器件和/或結構的關鍵步驟之一。然而，隨著通過使用光刻術制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結構的更加關鍵的因素。

圖案印刷的極限的理論估計可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統的數值孔徑，k₁是依賴于過程的調節因子，也稱為瑞利常數，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(1)知道，減小特征的最小可印刷尺寸可以由三種途徑實現：通過縮短曝光波長λ、通過增大數值孔徑NA或通過減小k₁的值。

為了縮短曝光波長，并因此減小最小可印刷尺寸，已經提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是具有在5-20nm范圍內波長的電磁輻射，例如在13-14nm范圍內。另外已經提出可以使用波長小于10nm的EUV輻射，例如在5-10nm范圍內，諸如6.7nm或6.8nm。這樣的輻射被用術語極紫外輻射或軟x射線輻射來表示。可能的源包括例如激光產生的等離子體源、放電等離子體源或基于通過電子存儲環提供的同步加速器輻射的源。

可以通過使用等離子體來產生EUV輻射。用于產生EUV輻射的輻射系統可以包括用于激發燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器設備。例如可以通過將激光束引導至諸如合適材料(例如錫)的顆粒或者合適氣體或蒸汽(例如氙氣或鋰蒸汽)的束流等燃料來產生等離子體。所形成的等離子體發出輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器來收集。輻射收集器可以是反射鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。源收集器設備可以包括包圍結構或腔室，布置成提供真空環境以支持等離子體。這種輻射系統通常被用術語激光產生的等離子體(LPP)源來表示。

包含投影光學裝置的腔和包含晶片臺和支撐件的環境可以通過氣鎖機構來分離開，其防止來自晶片臺環境的污染物進入到投影光學裝置腔中。氣流被從氣鎖機構發射到下面的晶片平臺上，這將熱負載引入到晶片平臺上。該熱負載可能在晶片平臺之上不總是恒定的，并且可能依賴于晶片平臺的位置而變化。例如，當氣鎖機構在傳感器(例如透射圖像傳感器TIS板)的上方時，可以看到熱負載比較高。

發明內容

期望減小由于從氣鎖機構發射到晶片平臺的元件(諸如傳感器和/或晶片本身)上的氣體所造成的熱負載。

第一實施例提供了用于將具有在EUV范圍內的波長或更短波長的輻射束投影到襯底的目標部分上的所述類型的設備的襯底支撐件，所述襯底支撐件包括：襯底臺，構造成保持襯底；支撐塊，用于支撐襯底臺；至少一個傳感器單元；和蓋板，設置成圍繞襯底臺和傳感器單元，使得蓋板的頂表面、傳感器單元的頂表面和在被安裝在襯底臺上時襯底的頂表面都處于大致同一高度水平。此處的EUV范圍是指波長在5-20nm范圍內的電磁輻射。