[發明專利]包含稀土鹵化物的閃爍晶體，以及包括閃爍晶體的輻射檢測裝置

在審

• 申請號: 201380065351.4
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN105102583A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: P·多爾恩波斯;P·R·蒙格;V·奧斯本斯基;K·W·克雷默
• 申請（專利權）人: 科學技術基金會;圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司;伯爾尼大學
• 主分類號: C09K11/77
• 分類號: C09K11/77;G01T1/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

技術領域

本公開涉及包含稀土鹵化物的閃爍晶體和包括這種閃爍晶體的輻射檢測裝置。

背景技術

輻射檢測裝置用于多種應用中。例如，閃爍器可用于醫學成像，用于油氣工業中的測井，以及用于環境監測、安全應用和核物理分析和應用。用于輻射檢測裝置的閃爍晶體可包括稀土鹵化物。需要閃爍晶體的進一步的改進。

附圖說明

實施例以示例的方式顯示，且不限于附圖。

圖1包括根據一個實施例的輻射檢測裝置的圖示。

圖2包括在大約8keV至大約90keV的范圍內的γ射線能量下，對于LaBr₃：Ce閃爍晶體的不同組成，隨能量而變化的能量分辨率的圖。

圖3包括在大約276keV至大約662keV的范圍內的γ射線能量下，對于LaBr₃：Ce閃爍晶體的不同組成，隨能量而變化的能量分辨率比的圖。

圖4包括在大約8keV至大約90keV的范圍內的γ射線能量下，對于CeBr₃閃爍晶體的不同組成，隨能量而變化的能量分辨率的圖。

圖5包括在大約276keV至大約662keV的范圍內的γ射線能量下，對于CeBr₃閃爍晶體的不同組成，隨能量而變化的能量分辨率比的圖。

圖6包括在大約8keV至大約1332keV范圍內的γ射線能量下，LaBr₃：Ce閃爍晶體的不同組成的非比例性(non-proportionality)的圖。

圖7包括在大約9keV至大約100keV范圍內的γ射線能量下，LaBr₃：Ce閃爍晶體的不同組成的非比例性的圖。

圖8包括在大約8keV至大約1332keV范圍內的γ射線能量下，CeBr₃閃爍晶體的不同組成的非比例性的圖。

圖9包括在大約11keV至大約100keV范圍內的γ射線能量下，CeBr₃閃爍晶體的不同組成的非比例性的圖。

圖10包括在一定溫度范圍內，LaBr₃閃爍晶體的不同組成的相對光輸出的圖。

本領域技術人員了解，圖中的元件為了簡單和清晰而顯示，且不必按比例繪制。例如，圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件增大，以協助增進對本發明的實施例的理解。

具體實施方式

通過結合附圖的如下描述以協助理解本文公開的教導。如下討論將集中于教導的具體實施和實施例。提供該焦點以協助描述教導，且該焦點不應被解釋為對教導的范圍或適用性的限制。

當指代值時，術語“平均的”旨在意指平均值、幾何平均值或中值。

如本文所用，術語“包含”、“包括”、“具有”或它們的任何其他變體旨在涵蓋非排他性的包括。例如，包括一系列特征的過程、方法、制品或裝置不必僅限于那些特征，而是可包括未明確列出的或這些過程、方法、制品或裝置所固有的其他特征。此外，除非明確相反指出，“或”指包括性的或，而非排他性的或。例如，條件A或B由如下任一者滿足：A為真(或存在)且B為假(或不存在)，A為假(或不存在)且B為真(或存在)，以及A和B均為真(或存在)。

“一種”的使用用于描述本文描述的元件和部件。這僅為了便利，并提供本發明的范圍的一般含義。該描述應理解為包括一種或至少一種，且單數也包括復數，反之亦然，除非其明顯具有相反含義。

除非另外定義，本文所用的所有技術和科學術語與本發明所屬領域中的普通技術人員所通常理解的具有相同的含義。材料、方法和實例僅為說明性的，且不旨在為限制性的。對于本文未描述的程度，有關具體材料和加工行為的許多細節為常規的，并可在閃爍和輻射檢測領域內的教科書和其他來源中找到。

圖1示出了輻射檢測器裝置系統100的一個實施例。輻射檢測器裝置系統可為醫學成像裝置，測井裝置、安全檢查裝置、核物理應用等。在一個特定實施例中，輻射檢測裝置可用于γ射線分析，如單正電子發射計算機斷層攝影術(SPECT)或正電子發射斷層攝影(PET)分析。