[發明專利]包含稀土鹵化物的閃爍晶體，以及包括閃爍晶體的輻射檢測裝置

在審

• 申請號: 201380065351.4
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN105102583A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: P·多爾恩波斯;P·R·蒙格;V·奧斯本斯基;K·W·克雷默
• 申請（專利權）人: 科學技術基金會;圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司;伯爾尼大學
• 主分類號: C09K11/77
• 分類號: C09K11/77;G01T1/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種閃爍晶體，其包含：

Ln_(1-y)RE_yX₃：Me，其中

Ln表示稀土元素；

RE表示不同的稀土元素；

y具有0至1范圍內的值；

X表示鹵素；

Me表示第1族元素、第2族元素，或它們的任意混合物；且

所述閃爍晶體由Me濃度為至少大約0.02wt.％的熔體形成。

2.一種輻射檢測裝置，其包括：

包括Ln_(1-y)RE_yX₃：Me的閃爍晶體，其中：

Ln表示稀土元素；

RE表示不同的稀土元素；

y具有0至1范圍內的值；

X表示鹵素；

Me表示第1族元素、第2族元素，或它們的任意混合物；且

所述閃爍晶體由Me濃度為至少大約0.02wt.％的熔體形成；和光電傳感器，所述光電傳感器光聯接至所述閃爍晶體。

3.一種閃爍晶體，其包含：

稀土鹵化物，其中：

對于11keV至30keV的輻射能量范圍，所述閃爍晶體具有不大于大約8.0％的nPR_dev平均；或

對于30keV至60keV的輻射能量范圍，所述閃爍晶體具有不大于大約3.6％的nPR_dev平均。

4.一種閃爍晶體，其包含：

稀土鹵化物，其中：

能量分辨率比為閃爍晶體的能量分辨率除以具有不同組成的不同閃爍晶體的不同能量分辨率，其中所述能量分辨率比：

對于8keV的能量，不大于大約0.95；

對于13keV的能量，不大于大約0.95；

對于17keV的能量，不大于大約0.95；

對于22keV的能量，不大于大約0.95；

對于26keV的能量，不大于大約0.95；

對于32keV的能量，不大于大約0.95；或

對于44keV的能量，不大于大約0.97。

5.根據權利要求1或2所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中Me為Ca。

6.根據權利要求1或2所述的閃爍晶體，其中Me為Li。

7.根據權利要求1、2、5和6中任一項所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中所述熔體具有至少大約0.08wt.％，至少大約0.2wt.％，或更特別地至少大約0.3wt.％，或甚至更特別地至少大約0.4wt.％；或不大于大約1.0wt.％，或更特別地不大于大約0.9wt.％，或甚至更特別地不大于0.7wt.％的Me濃度；或者所述熔體具有在大約0.2wt.％至大約0.9wt.％的范圍內，或更特別地在大約0.3wt.％至大約0.7wt.％范圍內的Me濃度。

8.根據權利要求1、2和5至7中任一項所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中y不大于大約0.5，或更特別地不大于大約0.2，或甚至更特別地不大于大約0.09；或為至少大約0.005，或更特別地至少大約0.01，或甚至更特別地至少大約0.02；或者y在大約0.01至大約0.09的范圍內，或更特別地在至少大約0.03至大約0.07的范圍內。

9.根據權利要求1、2和5至8中任一項所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中Ln為La，RE為Ce，且X為Br。

10.根據權利要求1、2和5至9中任一項所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中y為大約1.0f.u.。

11.根據權利要求10所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中對于13keV至30keV的輻射能量范圍，所述閃爍晶體具有不大于大約14％，或更特別地不大于大約12％，或甚至更特別地9％的PR_dev平均。

12.根據權利要求10或11所述的閃爍晶體或輻射檢測裝置，其中對于30keV至60keV的輻射能量范圍，所述閃爍晶體具有不大于大約8.0％，或更特別地不大于大約6.0％，或甚至更特別地不大于4.0％的PR_dev平均。