[發明專利]用于重新形成電阻存儲器單元的裝置和方法

在審

• 申請號: 201380064169.7
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN104871250A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: P·蘇塔爾德雅;A·吳;W·李;P·李;常潤滋
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G11C13/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年10月22日提交的美國發明申請No.14/059,790的優先權以及2012年10月24日提交的美國臨時申請No.61/717,894的權益。上面引用的申請的整體公開內容通過引用方式并入于此。

技術領域

本公開涉及非易失性存儲器，并且更具體地涉及電阻存儲器的形成。

背景技術

本文中提供的背景描述是為了總體上給出本公開的上下文的目的。當前提名的發明人的工作(到工作被描述在此背景部分中的程度)以及在提交時可能無法以其他方式有資格作為現有技術的說明書各方面，既不明確也不暗示地被承認為抵觸本公開內容的現有技術。

非易失性存儲器可以包括存儲器單元的陣列。存儲器單元中的每個存儲器單元可以具有多個電阻狀態。諸如相變隨機存取存儲器(PRAM)、電阻隨機存取存儲器(RRAM)和磁性隨機存取存儲器(MRAM)之類的某些非易失性存儲器(本文中稱為“電阻存儲器”)包括具有相應電阻的存儲器單元。電阻中的每個電阻基于對應存儲器單元的狀態而改變。例如，當存儲‘0’時存儲器單元可以具有第一(或低)電阻狀態，并且當存儲‘1’時存儲器單元可以具有第二(或高)電阻狀態。

作為第一示例，為了確定存儲器單元的電阻狀態，可以在存儲器單元的電阻兩端施加電壓。通過電阻的電流然后可被檢測并且指示電阻狀態。基于檢測的電流，確定存儲器單元的電阻狀態。作為另一示例，可以向存儲器單元的電阻供應電流。電阻兩端的電壓然后可被檢測并且指示電阻狀態。然后可以基于檢測的電壓來確定存儲器單元的電阻狀態。

電阻存儲器通常只有一次“形成”能力。術語“形成”指的是電阻存儲器中的存儲器單元的激活。在制造電阻存儲器之后，電壓可以施加于例如電阻存儲器的位線，以激活存儲器單元。施加的電壓可以大于在電阻存儲器的讀寫操作期間向位線施加的電壓。該電壓僅施加單次并且在執行任何讀寫操作之前。

發明內容

提供了一種存儲器，其包括存儲器單元的陣列、第一模塊和第二模塊。第一模塊被配置為比較存儲器單元的第一狀態與基準。存儲器單元在存儲器單元的陣列中。第二模塊被配置為繼存儲器單元的讀周期或寫周期之后并且基于比較，重新形成(reform)存儲器單元，以調整在存儲器單元的第一狀態和第二狀態之間的差值。

在其它特征中，基準是第二狀態，并且第一模塊被配置為確定在第一狀態和第二狀態之間的差值。在又一些其它特征中，基準是預定閾值。

在其它特征中，第一模塊被配置為確定在第一狀態和第二狀態之間的差值。第二模塊被配置為基于差值來重新形成存儲器單元，以調整第一狀態和第二狀態。繼存儲器單元的重新形成之后，在第一狀態或第二狀態之間的第二差值大于預定差值。

在其它特征中，第一模塊被配置為確定在預定閾值和第一狀態之間的第二差值，并且確定在第二預定閾值和第二狀態之間的第三差值。第二模塊被配置為基于第二差值或第三差值，重新形成存儲器單元，以調整第一狀態和第二狀態。

在其它特征中，第一模塊被配置為確定第一狀態是否小于第一預定閾值或者第二狀態是否大于第二預定閾值。如果第一狀態小于第一預定閾值或者第二狀態大于第二預定閾值，則第二模塊被配置為重新形成存儲器單元。

在其它特征中，第一狀態指示存儲器單元的第一電阻。第二狀態指示存儲器單元的第二電阻。第二模塊被配置為基于差值或比較，增加第一狀態或減少第二狀態。

在其它特征中，存儲器包括第三模塊。第二模塊被配置為在重新形成存儲器單元的同時，經由第三模塊向存儲器單元施加電壓或電流電平。

在其它特征中，提供了一種網絡設備，其包括電阻存儲器、第一模塊和第二模塊。電阻存儲器包括存儲器單元的陣列。第一模塊被配置為比較存儲器單元的第一狀態與基準。存儲器單元在存儲器單元的陣列中。第二模塊被配置為繼存儲器單元的讀周期或寫周期之后并且基于比較，重新形成存儲器單元，以調整在存儲器單元的第一狀態和第二狀態之間的差值。

在其它特征中，第一模塊或第二模塊中的至少一個模塊實現在電阻存儲器中。