[發明專利]用于重新形成電阻存儲器單元的裝置和方法在審
| 申請號: | 201380064169.7 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN104871250A | 公開(公告)日: | 2015-08-26 |
| 發明(設計)人: | P·蘇塔爾德雅;A·吳;W·李;P·李;常潤滋 | 申請(專利權)人: | 馬維爾國際貿易有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/50 | 分類號: | G11C29/50;G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
| 地址: | 巴巴多斯*** | 國省代碼: | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 重新 形成 電阻 存儲器 單元 裝置 方法 | ||
1.一種存儲器,包括:
存儲器單元的陣列;
第一模塊,被配置為比較存儲器單元的第一狀態與基準,其中所述存儲器單元在存儲器單元的所述陣列中;以及
第二模塊,被配置為繼所述存儲器單元的讀周期或寫周期之后并且基于所述比較,重新形成所述存儲器單元,以調整在所述存儲器單元的所述第一狀態和第二狀態之間的電阻的差值。
2.根據權利要求1所述的存儲器單元,其中:
所述基準是所述第二狀態,并且所述第一模塊被配置為確定在所述第一狀態和所述第二狀態之間的所述差值;或者
所述基準是預定閾值。
3.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第一模塊被配置為確定在所述第一狀態和所述第二狀態之間的所述差值;以及
所述第二模塊被配置為基于所述差值,重新形成所述存儲器單元,以調整所述第一狀態和所述第二狀態,
其中,繼所述存儲器單元的所述重新形成之后,在所述第一狀態或所述第二狀態之間的第二差值大于預定差值。
4.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第一模塊被配置為確定在預定閾值和所述第一狀態之間的第二差值,并且確定在第二預定閾值和所述第二狀態之間的第三差值;以及
所述第二模塊被配置為基于所述第二差值或所述第三差值,重新形成所述存儲器單元,以調整所述第一狀態和所述第二狀態。
5.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第一模塊被配置為確定所述第一狀態是否小于第一預定閾值或者所述第二狀態是否大于第二預定閾值;以及
所述第二模塊被配置為如果所述第一狀態小于所述第一預定閾值或者所述第二狀態大于所述第二預定閾值,則重新形成所述存儲器單元。
6.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第一狀態指示所述存儲器單元的第一電阻;
所述第二狀態指示所述存儲器單元的第二電阻;以及
所述第二模塊被配置為基于所述差值或所述比較,增加所述第一狀態或減少所述第二狀態。
7.根據權利要求1所述的存儲器,進一步包括第三模塊,其中所述第二模塊被配置為在重新形成所述存儲器單元的同時經由所述第三模塊向所述存儲器單元施加電壓或電流電平。
8.根據權利要求7所述的存儲器,其中:
所述第二模塊被配置為經由所述第三模塊向所述存儲器單元的電阻施加所述電壓或所述電流電平;
所述電壓大于用于從所述存儲器單元讀取或者向所述存儲器單元寫入的電壓;以及
所述電流電平大于用于從所述存儲器單元讀取或者向所述存儲器單元寫入的電流電平。
9.根據權利要求1所述的存儲器,其中所述第二模塊被配置為基于所述差值或所述比較,重新形成存儲器單元的所述陣列中的兩個或更多個存儲器單元。
10.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第二模塊被配置為基于所述差值或所述比較,重新形成存儲器單元的所述陣列中的存儲器單元組;并且
所述存儲器單元在所述存儲器單元組中。
11.根據權利要求1所述的存儲器,其中:
所述第二模塊被配置為基于所述差值或所述比較,重新形成存儲器單元的所述陣列中的存儲器單元組;并且
所述存儲器單元不在所述存儲器單元組中。
12.根據權利要求1所述的存儲器,進一步包括生成輸出信號的第三模塊,其中:
所述輸出信號指示所述存儲器單元的狀態;以及
所述第一模塊被配置為接收所述輸出信號,并且基于所述輸出信號來確定所述差值。
13.一種網絡設備,包括:
電阻存儲器,其包括存儲器單元的陣列;
第一模塊,被配置為比較存儲器單元的第一狀態與基準,其中所述存儲器單元在存儲器單元的所述陣列中;以及
第二模塊,被配置為繼所述存儲器單元的讀周期或寫周期之后并且基于所述比較,重新形成所述存儲器單元,以調整在所述存儲器單元的所述第一狀態和第二狀態之間的電阻的差值。
14.根據權利要求13所述的網絡設備,其中所述第一模塊或所述第二模塊中的至少一個模塊被實現在所述電阻存儲器中。
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