[發明專利]用于提供等離子體至處理腔室的裝置在審
| 申請號: | 201380063572.8 | 申請日: | 2013-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104838476A | 公開(公告)日: | 2015-08-12 |
| 發明(設計)人: | 建德·高;海曼·W·H·拉姆 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 提供 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種用于提供等離子體至處理腔室的裝置,所述裝置包含:
電極;
第一接地板,所述第一接地板設置于所述電極下方且與所述電極相間隔以定義出介于所述電極與所述第一接地板之間的空腔;
電性絕緣體,所述電性絕緣體設置于所述電極與所述第一接地板之間以避免所述電極直接接觸于所述第一接地板;
第二接地板,所述第二接地板設置于所述第一接地板下方且與所述第一接地板相間隔以定義出介于所述第一接地板與所述第二接地板之間的第一通道;
多個第一通孔,所述多個第一通孔設置成通過所述第一接地板以將所述通道流體性地耦接至所述空腔;
第一氣體進氣口,所述第一氣體進氣口耦接至所述第一通道;
第三接地板,所述第三接地板設置于所述第二接地板下方且與第二接地板相間隔以定義出介于所述第二接地板與所述第三接地板之間的第二通道;
多個導管,所述導管設置成通過所述第一接地板、所述第二接地板,以及所述第三接地板而將多個第二通孔耦接于多個第一氣體出氣口孔以將所述空腔流體性地耦接至位于所述第三接地板下方的區域,其中所述多個第二通孔設置成通過所述第一接地板,且所述多個第一氣體出氣口孔設置成通過所述第三接地板;
多個第二氣體出氣口孔,所述第二氣體出氣口孔設置成通過所述第三接地板而將所述第二通道流體性地耦接至所述第三接地板下方的所述區域;以及
第二氣體進氣口,所述第二氣體進氣口耦接至所述第二通道。
2.如權利要求1所述的裝置,其中所述第一接地板、所述第二接地板,以及所述第三接地板電性耦接于接地。
3.如權利要求1所述的裝置,其中所述裝置經整合而成為處理腔室的蓋。
4.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,其中所述第一接地板的所述多個第二通孔呈圓錐形。
5.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,其中面向所述空腔的所述電極的表面具有多個圓錐形凹槽,所述凹槽位于所述多個導管的對面。
6.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,所述裝置還包含:
第一氣體供應,所述第一氣體供應耦接于所述第一進氣口以提供所述第一氣體至所述通道;以及
第二氣體供應,所述第二氣體供應耦接于所述第一氣體進氣口或所述第二氣體進氣口的至少一個以提供第二氣體至所述第一通道或所述第二通道的所述至少一個。
7.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,所述裝置還包含:
第三氣體供應,所述第三氣體供應耦接于所述第二進氣口以提供第三氣體至所述第二通道。
8.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,所述裝置還包含:
第一出氣口,所述第一出氣口耦接于所述第一通道以抽空所述第一通道;以及
第二出氣口,所述第二出氣口耦接于所述第二通道以抽空所述第二通道。
9.如權利要求8所述的裝置,其中所述第一出氣口以及所述第二出氣口耦接于真空泵。
10.如權利要求8所述的裝置,其中所述第一出氣口包含多個第一出氣口且所述第二出氣口包含多個第二出氣口。
11.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,所述裝置還包含以下至少一個:
環,所述環設置于所述第一通道內且定義出介于所述多個通孔與所述第一氣體進氣口之間的氣室,其中所述環具有多個通孔,所述多個通孔將所述氣室流體性地耦接于所述多個通孔;或
環,所述環設置于所述第二通道內且定義出介于所述多個第二氣體出氣口孔與所述第二氣體進氣口之間的氣室,其中所述環具有多個通孔,所述多個通孔將所述氣室流體性地耦接于所述多個第二氣體出氣口孔。
12.如權利要求1~3的任一項所述的裝置,所述裝置還包含:
多個第一進氣口,所述多個第一進氣口耦接于所述第一通道;以及
多個第二進氣口,所述多個第二進氣口耦接于所述第二通道。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





