[發明專利]用于提供等離子體至處理腔室的裝置

在審

• 申請號: 201380063572.8
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104838476A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 建德·高;海曼·W·H·拉姆
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

領域

本發明的實施例一般而言涉及半導體處理設備。

背景

常規的基板處理腔室通常使用具有一或多個電極的等離子體源，所述電極經配置以從處理氣體形成等離子體。常規的等離子體源在處理氣體以及/或等離子體分布于所述處理腔室之前通常會將處理氣體以及/或等離子體混合。然而，發明人已觀察到這樣將處理氣體混合會使等離子體源不兼容于需要處理氣體能單獨且獨立地提供至處理腔室的沉積工藝，例如循環沉積工藝，舉例而言，原子層沉積(ALD)。

因此，發明人提供用于提供等離子體至處理腔室的經改良裝置的實施例。

發明內容

本發明提供用于提供等離子體至處理腔室的裝置的實施例。在一些實施例中，一種用于提供等離子體至處理腔室的裝置可包含：電極；第一接地板，所述第一接地板設置于所述電極下方且與所述電極相間隔以定義出介于所述電極與所述第一接地板之間的空腔；電性絕緣體，所述電性絕緣體設置于所述電極與所述第一接地板之間以避免所述電極直接接觸于所述第一接地板；第二接地板，所述第二接地板設置于所述第一接地板下方且與所述第一接地板相間隔以定義出介于所述第一接地板與所述第二接地板之間的第一通道；多個第一通孔，所述多個第一通孔設置成通過所述第一接地板以將所述通道流體性地耦接至所述空腔；第一氣體進氣口，所述第一氣體進氣口耦接至所述第一通道；第三接地板，所述第三接地板設置于所述第二接地板下方且與第二接地板相間隔以定義出介于所述第二接地板與所述第三接地板之間的第二通道；多個導管，所述多個導管設置成通過所述第一接地板、所述第二接地板，以及所述第三接地板以將所述空腔流體性地耦接至位于所述第三接地板下方的區域；多個氣體出氣口孔，所述多個氣體出氣口孔設置成通過所述第三接地板以將所述第二通道流體性地耦接至所述第三接地板下方的所述區域；以及第二氣體進氣口，所述第二氣體進氣口耦接至所述第二通道。

在一些實施例中，處理腔室蓋具有整合裝置，所述整合裝置用于提供等離子體至所述處理腔室，其中用于提供等離子體的整合裝置可包含：電極；第一接地板，所述第一接地板設置于所述電極下方且與所述電極相間隔以定義出介于所述電極與所述第一接地板之間的空腔；電性絕緣體，所述電性絕緣體設置于所述電極與所述第一接地板之間以避免所述電極直接接觸于所述第一接地板；第二接地板，所述第二接地板設置于所述第一接地板下方且與所述第一接地板相間隔以定義出介于所述第一接地板與所述第二接地板之間的第一通道；多個第一通孔，所述多個第一通孔設置成通過所述第一接地板以將所述通道流體性地耦接至所述空腔；第一氣體進氣口，所述第一氣體進氣口耦接至所述第一通道；第一出氣口，所述第一出氣口耦接至所述第一通道；第三接地板，所述第三接地板設置于所述第二接地板下方且與第二接地板相間隔以形成介于所述第二接地板與所述第三接地板之間的第二通道；多個導管，所述多個導管設置成通過所述第一接地板、所述第二接地板，以及所述第三接地板以將所述空腔流體性地耦接至位于所述第三接地板下方的區域；多個氣體出氣口孔，所述氣體出氣口孔設置成通過所述第三接地板以將所述第二通道流體性地耦接至所述第三接地板下方的所述區域；以及第二氣體進氣口，所述第二氣體進氣口耦接至所述第二通道；第二出氣口，所述第二出氣口耦接至所述第二通道；以及以下至少一個：環，所述環設置于所述第一通道內且定義出介于所述多個通孔與所述第一氣體進氣口之間的氣室，其中所述環具有多個通孔，所述多個通孔將所述氣室流體性地耦接于所述多個通孔；或環，所述環設置于所述第二通道內且定義出介于所述多個氣體出氣口孔與所述第二氣體進氣口之間的氣室，其中所述環具有多個通孔，所述多個通孔將所述氣室流體性地耦接于所述多個氣體出氣口孔。

本發明的其它與進一步實施例則敘述于下。

附圖簡單說明

通過參照所附圖中描繪的本發明的例示實施例，可了解在下面更詳細討論且簡短總結于上的本發明的實施例。但是，注意到，附圖只例示本發明的一般實施例且因此不視為限制本發明的范圍，因為本發明可容許其它等效實施例。

圖1圖示了根據本發明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的示意性側視圖。

圖2圖示了根據本發明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的示意性側視圖。

圖3圖示了根據本發明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的示意性上視圖。

圖4圖示了根據本發明的一些實施例的適于與用于提供等離子體至處理腔室的裝置一起使用的處理腔室。