[發明專利]用于有機電子器件的基板有效
| 申請號: | 201380062589.1 | 申請日: | 2013-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105706263B | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 金持凞;李政炯;崔俊禮 | 申請(專利權)人: | 株式會社LG化學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 有機 電子器件 | ||
技術領域
本發明涉及用于有機電子器件的基板、有機電子裝置、所述基板或裝置的制造方法、用于顯示器的光源、及照明器具。
背景技術
有機電子器件(OED;Organic Electronic Device)例如為一種如專利文獻1(日本特開第1996-176293號公報)所述的包含至少一個能夠傳導電流的有機材料層的器件。有機電子器件的種類包括有機發光器件(OLED)、有機太陽能電池、有機光導體(OPC)或有機晶體管等。
有機發光器件為代表性的有機電子器件,通常依次包括基板、第一電極層、有機層和第二電極層。在被稱為底部發光器件(bottom emitting device)的結構中,第一電極層可形成為透明電極層,第二電極層可形成為反射電極層。此外,在被稱為頂部發光器件(top emitting device)的結構中,第一電極層可形成為反射電極層,第二電極層可形成為透明電極層。通過電極層而被注入的電子(electron)和空穴(hole)在位于有機層的發光層中重新結合(recombination)以產生光子。在底部發光器件中,光子可向基板方向發射;在頂部發光型器件中,光子可向第二電極層方向發射。
在有機發光器件的結構中,通常用作透明電極層的銦錫氧化物(ITO)、有機層和通常為玻璃的基板的折射率分別為約2.0、1.8和1.5。在上述折射率的關系中,例如,在底部發光器件的發光層中產生的光子由于全內反射(total internal reflection)現象而被捕獲(trap)在有機層與第一電極層之間的界面處或者被捕獲在基板內,并且僅發射出非常少量的光子。
另外,近來對可撓性(flexible)有機電子器件的關注增加,對于將有機發光器件的結構中的玻璃系基板替換為聚合物系基板的技術的需求逐漸增多。
發明內容
技術問題
本發明旨在提供用于有機電子器件的基板、有機電子裝置、所述基板或裝置的制造方法、光源及照明器具。
技術方案
本發明的一個方面提供一種用于有機電子器件的基板,其包括第一聚合物基底層、光學功能層、及高折射層。光學功能層和高折射層可依次層疊在第一聚合物基底層上,因此光學功能層可存在于第一聚合物基底層與高折射層之間。圖1示意性地示出了用于有機電子器件的基板1,其包括在第一聚合物基底層101上依次形成光學功能層102和高折射層103的結構。在另一示例中,用于有機電子器件的基板可具有其中重復上述結構的結構,例如,具有第一聚合物基底層、光學功能層、高折射層、第一聚合物基底層、光學功能層和高折射層依次層疊的結構。
在基板中,可使用合適的聚合物基底層作為第一聚合物基底層,且無特別限制。例如,當基板被應用于底部發光器件時,可使用透光型聚合物基底層,例如對于可見光區域的光具有50%以上透光率的聚合物基底層。根據需要,聚合物基底層可為具有驅動用TFT的TFT基板。當基板被應用于頂部發光器件時,聚合物基底層并非必須是透光型基底層。根據需要,可在聚合物基底層的表面等上形成由鋁等形成的反射層。
作為第一聚合物基底層,例如可使用折射率為約1.5以上、約1.6以上、約1.65以上或約1.7以上的聚合物基底層。本說明書中的術語“折射率”在沒有特別的規定時,可指對于633nm波長的光的折射率。
作為第一聚合物基底層,例如可使用包含聚酰胺酸、聚酰亞胺,聚萘二甲酸乙二醇酯,聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜或丙烯酸樹脂等的基底層,但并不限定于此。在一個恰當的示例中,從工藝溫度或光提取性能方面考慮,可使用包含聚酰亞胺的基底層作為第一聚合物基底層。
在一個示例中,包含聚酰亞胺的基底層,例如可包含對于633nm波長的光的折射率為約1.5以上、約1.6以上、約1.65以上或約1.7以上的聚酰亞胺。這種高折射的聚酰亞胺例如可使用其中引入了氟以外的鹵素原子、硫原子或磷原子等的單體來制備。
在一個示例中,可使用通過將對于633nm波長的光的折射率為約1.5以上、約1.6以上、約1.65以上或約1.7以上的聚酰胺酸酰亞胺化而制備的物質作為包含在基底層中的聚酰亞胺。在一個示例中,可使用具有能夠與顆粒鍵合的部位(如羧基)以增強顆粒分散穩定性的聚酰胺酸作為所述聚酰胺酸。例如,可使用包含如下化學式1所示的重復單元的化合物作為聚酰胺酸。
[化學式1]
在化學式1中,n可為正數,例如1以上的正數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





