[發(fā)明專利]根據(jù)單元尺寸中預測的變化來適應存儲器操作參數(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380062544.4
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104823244A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發(fā)明（設計）人: C.N.Y.阿維拉;董穎達;梅文龍
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C11/56;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

技術領域

本申請涉及可重新編程的非易失性存儲器系統(tǒng)、諸如使用貯存在存儲器單元的電荷貯存元件中的電荷來記錄數(shù)據(jù)的半導體閃速存儲器的操作。

背景技術

能夠非易失性貯存電荷的固態(tài)存儲器、特別是以封裝成小外形的卡的EEPROM和閃速EEPROM的形式近來在各種各樣的移動和手持裝置中(尤其是信息家電和消費電子產品)已經變?yōu)橘A存的選擇。不同于也是固態(tài)存儲器的RAM(隨機訪問存儲器)，閃速存儲器是非易失性的，并且甚至在電源斷開之后仍保持其貯存的數(shù)據(jù)。此外，不同于ROM(只讀存儲器)，閃速存儲器類似于磁盤貯存裝置是可重新寫入的。盡管更高的成本，閃速存儲器在大貯存應用中被越來越多地使用。

閃速EEPROM類似于EEPROM(電可擦除并且可編程只讀存儲器)在于它是可以被擦除的并且使得新的數(shù)據(jù)寫入或“編程”進其存儲器單元中的非易失性存儲器。在場效應晶體管結構中，兩者利用放置在半導體基底中的溝道區(qū)域之上、在源極和漏極區(qū)域之間的浮置(未連接的)導電的柵極。控制柵極然后被提供在浮置柵之上。晶體管的閾值電壓特征由在浮置柵極上保留的電荷的量控制。就是說，對于浮置柵極上的給定水平的電荷，具有必須在晶體管被“導通”以允許其源極和漏極區(qū)域之間導電之前施加到控制柵極的相應的電壓(閾值)。諸如閃速EEPROM的閃速存儲器允許存儲器單元的整個塊同時被擦除。

浮置柵極可以保持一定范圍的電荷并且從而可以被編程到閾值電壓窗口中的任何閾值電壓水平。閾值電壓窗口的大小由裝置的最小和最大閾值水平限定，所述最小和最大閾值水平又對應于可以被編程到浮置柵極上的電荷的范圍。閾值窗口通常取決于存儲器裝置的特征、操作條件和歷史。在窗口中的每個不同的、可辨析的閾值電壓水平范圍原則上可以被用于指定單元的明確的存儲器狀態(tài)。

為了提高讀取和編程性能，在陣列中的多個電荷貯存元件或存儲器晶體管被并行讀取或編程。因此，存儲器元件的一“頁”被一起讀取或編程。在現(xiàn)有的存儲器架構中，一行通常包含若干交錯的頁，或者一行可以由一頁構成。一頁的所有存儲器元件被一起讀取或編程。

也從具有用于存儲電荷的介電層的存儲器單元中制造非易失性存儲器裝置。使用介電層替代之前所述的導電的浮置柵極元件。使用介電貯存元件的這樣的存儲器裝置已經由Eitan等人在IEEE電子裝置報，第21卷、11號、2000年11月、pp.543-545的“NROM：A?Novel?Localized俘獲,2位Nonvolatile?Momery?Cell,”中描述。ONO介電層延伸穿過源極和漏極擴散區(qū)(diffusion)之間的溝道。用于一數(shù)據(jù)位的電荷停留在靠近漏極的介電層中，并且用于其它數(shù)據(jù)位的電荷停留在靠近源極的介電層中。例如，美國專利號5,768,192和6,011,725公開了具有夾在兩個二氧化硅層之間的捕獲電介質的非易失性存儲器單元。多狀態(tài)數(shù)據(jù)貯存通過單獨讀取在電介質中空間上分隔的電荷貯存區(qū)域的二進制狀態(tài)而實現(xiàn)。

發(fā)明內容

本發(fā)明的示例涉及用于訪問存儲器陣列的可配置的參數(shù)、以及如下方案：其用于根據(jù)存儲器單元的預測的特征，例如，作為某種存儲器單元裝置幾何結構的函數(shù)，來最優(yōu)化這樣的參數(shù)，其中，可以基于在存儲器陣列中的具體裝置的位置來預測存儲器單元的預測的特征。在三維存儲器陣列中，諸如3-D?NAND，單元的幾何結構可以根據(jù)離基底的距離以可預測的方式變化。參數(shù)可以被配置為補償這樣的變化。

一種操作電荷-貯存存儲器單元陣列的方法的示例包括：識別在所述電荷-貯存存儲器單元陣列中的至少一個存儲器單元尺寸的變化的模式；基于所述第一多個存儲器單元的至少一個存儲器單元尺寸確定用來訪問第一多個存儲器單元的第一組參數(shù)；基于所述第二多個存儲器單元的至少一個存儲器單元尺寸確定用來訪問第二多個存儲器單元的第二組參數(shù)，所述第二組參數(shù)包括不同于所述第一組參數(shù)的至少一個參數(shù)；隨后使用所述第一組參數(shù)訪問所述第一多個存儲器單元；以及使用所述第二組參數(shù)訪問所述第二多個存儲器單元。