[發(fā)明專利]根據(jù)單元尺寸中預(yù)測(cè)的變化來適應(yīng)存儲(chǔ)器操作參數(shù)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380062544.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN104823244A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C.N.Y.阿維拉;董穎達(dá);梅文龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/02
• 分類號(hào): G11C29/02;G11C11/56;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種操作電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列的方法，包括：

識(shí)別在所述電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列中的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元尺寸的變化的模式；

基于所述第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元尺寸確定用來訪問第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元的第一組參數(shù)；

基于第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元尺寸確定用來訪問所述第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元的第二組參數(shù)，所述第二組參數(shù)包括不同于所述第一組參數(shù)的至少一個(gè)參數(shù)；

隨后使用所述第一組參數(shù)訪問所述第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元；以及

使用所述第二組參數(shù)訪問所述第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元尺寸是圓柱形存儲(chǔ)器孔洞的直徑。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列是三維存儲(chǔ)器陣列，所述第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元位于所述三維存儲(chǔ)器陣列的下部，所述第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元位于所述三維存儲(chǔ)器陣列的上部，并且所述識(shí)別的變化的模式表示所述圓柱形存儲(chǔ)器孔洞的直徑在所述第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元中比在所述第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元中大。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，不同的所述至少一個(gè)參數(shù)是被施加以編程存儲(chǔ)器單元的電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，不同的所述至少一個(gè)參數(shù)是用于編程存儲(chǔ)器單元的電壓脈沖的數(shù)量。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，不同的所述至少一個(gè)參數(shù)是用于讀取存儲(chǔ)器單元的讀取電壓。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)參數(shù)是用于擦除存儲(chǔ)器單元的擦除電壓。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括為所述電荷-貯存存儲(chǔ)器陣列的塊保持寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)、并且根據(jù)所述寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)更新所述第一和第二組參數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括根據(jù)第一更新方案更新所述第一組參數(shù)并且根據(jù)不同于所述第一更新方案的第二更新方案更新所述第二組參數(shù)。

10.一種電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，包括：

存儲(chǔ)器單元的陣列，每個(gè)存儲(chǔ)器單元具有存儲(chǔ)器單元尺寸，所述存儲(chǔ)器單元尺寸在所述存儲(chǔ)器單元的陣列上具有變化的模式；以及

存儲(chǔ)器訪問電路，其根據(jù)訪問參數(shù)訪問所述存儲(chǔ)器單元的陣列的所述存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器訪問電路具有訪問第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元的第一組參數(shù)以及訪問第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元的第二組參數(shù)，所述第二組參數(shù)包括不同于所述第一組參數(shù)的至少一個(gè)參數(shù)，所述第一多個(gè)存儲(chǔ)器單元和所述第二多個(gè)存儲(chǔ)器單元根據(jù)變化的模式而定義。

11.如權(quán)利要求10所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列是三維存儲(chǔ)器陣列。

12.如權(quán)利要求11所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列是三維NAND存儲(chǔ)器陣列，所述三維NAND存儲(chǔ)器陣列包括在垂直于基底表面的方向中垂直地延伸的多個(gè)NAND串。

13.如權(quán)利要求12所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，其中，在所述存儲(chǔ)器單元的陣列上的變化的模式是所述存儲(chǔ)器單元尺寸根據(jù)離所述基底表面的垂直距離的變化的模式。

14.如權(quán)利要求13所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述存儲(chǔ)器單元尺寸是垂直地延伸通過字線的開口的直徑，其中溝道垂直地延伸通過所述開口。

15.如權(quán)利要求10所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，還包括寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)電路，其保持對(duì)所述電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列中的塊的寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)、并且根據(jù)寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)來更新訪問參數(shù)。

16.如權(quán)利要求15所述的電荷-貯存存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述寫入-擦除循環(huán)計(jì)數(shù)電路具有用于更新所述第一組參數(shù)的第一更新方案以及用于更新所述第二組參數(shù)的第二更新方案。