[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201380061962.1
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN104823289B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 高敏鎮
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;顧晉偉

本發明涉及發光二極管、制造其的方法及其用途。本申請可以提供具有極佳的初始光輸出以及極佳的顏色均勻度和色散的發光二極管、制造該發光二極管的方法及其用途。根據本申請實施方案的發光二極管包含：發光二極管芯片；在該發光二極管芯片上的第一聚硅氧烷膜層，第一聚硅氧烷膜層包含磷光體；以及在該第一聚硅氧烷膜層上的第二聚硅氧烷膜層，第二聚硅氧烷膜層包含磷光體，并且在不包含該磷光體的狀態下具有與第一聚硅氧烷膜層相比更低的折射率。

技術領域

本發明涉及發光二極管、制造其的方法及其用途。

背景技術

LED(發光二極管)由于低能耗而被考慮應用為例如燈或顯示器。已獲得使用GaN系列化合物半導體(例如GaN、GaAIN、InGaN和InAIGaN)的高亮度產品，作為具有約250nm至550nm波長的藍色或UV LED，并且在例如專利文獻1中提出了能夠表現出高發射的LED封裝的結構。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)韓國專利申請公開號2006-0066773

發明內容

技術問題

本發明涉及提供LED、制造其的方法及其用途。

技術方案

本發明的一個方面提供了示例性發光二極管(下文簡稱為“LED”)，該示例性LED包括LED芯片、第一聚硅氧烷膜層(下文簡稱為“第一膜層”)和第二聚硅氧烷膜層(下文簡稱為“第二膜層”)。例如，如圖1所示，所述LED可以依序包括LED芯片101、存在于LED芯片101上的第一聚硅氧烷膜層102和存在于第一膜層102上的第二聚硅氧烷膜層103。此處，第一聚硅氧烷膜層102可以與LED芯片101接觸，并且第二聚硅氧烷膜層103可以與第一膜層102接觸。

在下文中，除非特別另行限定，否則折射率可以指對于波長約400nm的光所測量的折射率。

包括在LED中的LED芯片的種類無特別限制，并且可以使用已知芯片。例如，可以使用通過將半導體材料堆疊在襯底上所形成的LED芯片，并且可以使用GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN或SiC作為該半導體材料，但本發明不限于此。

LED芯片的發射波長可以是例如250nm至550nm、300nm至500nm或330nm至470nm。發射波長可以指主要發射峰波長。當LED芯片的發射波長設置在上述范圍內時，可以獲得具有較長壽命、高能效和高色域的白色LED。

在一個實例中，第一和第二膜層可以具有不同的折射率，并且第一膜層可以具有高于第二膜層的折射率。如下文所述，當第二膜層包括磷光體時，在第一和第二膜層之間的折射率比較中，第二膜層的折射率可以為包括該磷光體時的折射率或不包括該磷光體時的折射率。

例如，第一膜層對于波長為400nm的光所測量的折射率可以為1.50以上或為1.55以上。此外，第一膜層的折射率上限無特別限制，并且第一膜層的折射率可以在例如約1.7以下、1.65以下或1.6以下的范圍內測定。

第二膜層對于波長為400nm的光所測量的折射率可以為1.6以下、小于1.6或為1.55以下。例如，當第二膜層包括如下文所述的磷光體時，第二膜層的折射率可以為對于不包括該磷光體的第二膜層所測量的折射率。第二膜層的折射率下限無特別限制，并且第二膜層的折射率可以在例如約1.3以上、1.35以上、1.4以上或1.45以上的范圍內測定。