[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201380061962.1
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN104823289B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 高敏鎮
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;顧晉偉

1.一種發光二極管，包含:

發光二極管芯片，其發射波長是250nm至550nm；

形成在所述發光二極管芯片上的第一聚硅氧烷膜層，所述第一聚硅氧烷膜層包括磷光體和0.5重量％或更多至小于10重量％的散射粒子；以及

形成在所述第一聚硅氧烷膜層上的第二聚硅氧烷膜層，所述第二聚硅氧烷膜層包含5重量％至90重量％的磷光體，并且當不包含所述磷光體時具有比所述第一聚硅氧烷膜層的折射率低的折射率，

其中所述散射粒子具有100nm以上的平均粒徑，并且所述散射粒子的折射率與不包含所述散射粒子的第一聚硅氧烷膜層的折射率之差的絕對值為0.15至1.0，并且

其中所述第一聚硅氧烷膜層或所述第二聚硅氧烷膜層為下述組合物的固化膜層，所述組合物包括具有式1的平均單元的有機聚硅氧烷和具有式11的平均單元的有機聚硅氧烷：

[式1]

P_aQ_bSiO_(4-a-b)/2

[式11]

H_cQ_dSiO_(4-c-d)/2

在式1和式11中，P為烯基，Q為環氧基或單價烴基，a+b在0.8至2.2的范圍內且a/(a+b)為在0.001至0.15的范圍內的數值，并且c和d為使得c+d為1至2.8且c/(c+d)為0.001至0.34的數值，

其中所述第一聚硅氧烷膜層包含鍵合于硅原子的環氧基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的環氧基的摩爾數(E)相對于總的硅原子的摩爾數(Si)的比率(E/Si)為0.001至0.15，并且

其中所述第一聚硅氧烷膜層包含鍵合于硅原子的芳基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的芳基的摩爾數(Ar)相對于總的硅原子的摩爾數(Si)的比率(Ar/Si)為0.3至2.0。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述第一聚硅氧烷膜層對于波長400nm的光具有1.5以上的折射率。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述第二聚硅氧烷膜層當不包含磷光體時對于波長400nm的光具有1.6以下的折射率。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述第一聚硅氧烷膜層包含對于波長400nm的光具有1.55以上的折射率的填料。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其中在所述第一聚硅氧烷膜層中，所述散射粒子的重量比為0.1重量％至30重量％。

6.一種制造根據權利要求1所述的發光二極管的方法，包括：

將包含磷光體的第一聚硅氧烷膜轉移至發光二極管芯片上；以及

將第二聚硅氧烷膜轉移至所述第一聚硅氧烷膜上，所述第二聚硅氧烷膜包含磷光體，并且當不包含所述磷光體時具有比所述第一聚硅氧烷膜的折射率低的折射率。

7.一種液晶顯示器，包含根據權利要求1所述的發光二極管。

8.一種照明設備，包含根據權利要求1所述的發光二極管。