[發明專利]具有改進形態的ZSM-5晶體的合成

有效

• 申請號: 201380061630.3
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN104812703B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 文伊赫·法蘭克·賴;尼古拉斯·S·羅爾曼
• 申請（專利權）人: ?？松梨谘芯抗こ坦?/a>
• 主分類號: C01B39/40
• 分類號: C01B39/40
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張爽;郭國清

1.一種具有ZSM-5骨架結構的多孔結晶材料，所述結晶材料具有至少80的XO2:Y2O3比率，其中X是選自Si、Ge、Sn或其組合的四價元素，并且其中Y是選自Al、B、In、Ga、Fe或其組合的三價元素；所述結晶材料具有至少100m2/g的介孔表面積；并且所述結晶材料包含具有ZSM-5骨架結構的晶體，并且具有ZSM-5骨架結構的所述晶體包括具有棒狀形態的初級微晶，所述初級微晶具有對應于晶體長度的第一晶體維度，0.1μm至0.5μm的平均晶體長度，和第二晶體維度，所述第二晶體維度對應于具有所述平均晶體長度的一半或更少的平均維度值的晶體直徑。

2.權利要求1的結晶材料，其中所述具有ZSM-5骨架結構的晶體的至少50體積％是形成次級晶體聚集體的初級微晶，在所述次級晶體聚集體中的初級微晶的第一晶體維度是基本上對齊的，所述次級晶體聚集體具有的平均聚集體長度是所述平均晶體長度的至少5倍，所述晶體聚集體具有的平均聚集體寬度是所述第二晶體維度的平均維度值的至少10倍，其中“基本上對齊”是指所述晶體的軸與所述聚集整體結構的軸是在5°范圍內平行的。

3.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中X是Si并且Y是Al。

4.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中XO2:Y2O3的比率是至少100。

5.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中所述介孔表面積是至少120m2/g。

6.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中所述結晶材料是基本純的，其中“基本純的”是指所述結晶材料包含小于10重量％的骨架結構不同于ZSM-5骨架結構的結晶材料。

7.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中具有ZSM-5骨架結構的所述晶體的總表面積是至少300m2/g。

8.前述權利要求中的任一項的結晶材料，其中具有ZSM-5骨架結構的所述晶體的至少一部分含有布置在其孔內的結構導向劑。

9.一種合成具有ZSM-5骨架結構的結晶材料的方法，所述方法包括：形成能夠形成具有沸石骨架結構的晶體的合成混合物，所述混合物包含水、四價氧化物(XO2)、堿金屬或堿土金屬氫氧化物和選自四乙基銨鹽和甲基三乙基銨鹽的結構導向劑，所述混合物具有至少80的XO2:Y2O3比率，所述混合物適合于在沒有種晶的情況下，形成具有ZSM-12骨架結構的晶體，其中所述種晶具有ZSM-5骨架結構；將0.05重量％至5重量％的具有ZSM-5骨架結構的種晶添加到所述合成混合物中；和從所述合成混合物回收具有ZSM-5骨架結構的晶體，其中具有ZSM-5骨架結構的所述晶體包括初級微晶，所述初級微晶具有在至少一個維度上平均尺寸為至少0.1μm的第一晶體維度，其中X是選自Si、Ge、Sn或其組合的四價元素，并且其中Y是選自Al、B、In、Ga、Fe或其組合的三價元素。

10.權利要求9的方法，其中所述合成混合物中XO2:Y2O3的比率是至少100。