[發(fā)明專利]用于有機電子器件的基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380061341.3
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN104823298A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金持凞;李政炯;崔俊禮
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社LG化學(xué)
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 蘇萌;鐘守期

1.一種用于有機電子器件的基板，其包括：

第一聚合物基底層；光學(xué)功能層，其形成在所述第一聚合物基底層上；高折射層，其形成在所述光學(xué)功能層上；及阻擋層，其形成在所述第一聚合物基底層、或高折射層的一面或兩面，并且其相對于波長為633nm的光的折射率為1.45以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述第一聚合物基底層滿足下述公式1，

[公式1]

15μm≤n×d≤200μm，

在公式1中，n為所述第一聚合物基底層相對于波長為633nm的光的折射率，d為所述第一聚合物基底層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述第一聚合物基底層包含聚酰胺酸、聚酰亞胺，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚醚醚酮、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、或環(huán)氧樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述阻擋層包含選自TiO、TiO₂、Ti₃O₃、Al₂O₃、MgO、SiO、SiO₂、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe₂O₃、Y2O₃、ZrO₂、Nb₂O₃、及CeO₂中的一種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述光學(xué)功能層的霧度為10％至50％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述光學(xué)功能層為光散射層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述光散射層包含基體材料、及與所述基體材料的折射率不同的散射顆粒。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述光散射層是具有凹凸結(jié)構(gòu)的層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述高折射層相對于波長為633nm的光的折射率為1.6至2.0。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述高折射層為平整層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于有機電子器件的基板，其中：

所述平整層包含聚酰胺酸、聚酰亞胺、聚硅氧烷、或環(huán)氧樹脂。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于有機電子器件的基板，其中：

平整層還包含相對于波長為633nm的光的折射率為1.8以上、且平均粒徑為50nm以下的顆粒。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中：

高折射層是第二聚合物基底層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，所述用于有機電子器件的基板還包括載體基板，所述第一聚合物基底層的光學(xué)功能層的相反側(cè)的一面與所述載體基板接觸。

15.一種用于有機電子器件的基板的制造方法，所述用于有機電子器件的基板的制造方法包括：

在載體基板形成第一聚合物基底層，并在所述基底層上形成光學(xué)功能層，在所述光學(xué)功能層上形成高折射層的步驟，還包括：

在所述第一聚合物基底層、或所述高折射層的一面或兩面形成相對于波長為633nm的光的折射率為1.45以上的阻擋層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于有機電子器件的基板的制造方法，其中：

所述第一聚合物基底層通過在所述載體基板上堆疊聚合物薄膜、或涂布包含聚合物的涂布溶液來形成。

17.一種有機電子裝置，其包括：

權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板；在所述基板上形成的第一電極；在所述第一電極上形成的功能性有機層；及在所述功能性有機層上形成的第二電極。