[發明專利]用于有機電子器件的基板

有效

• 申請號: 201380061341.3
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN104823298A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 金持凞;李政炯;崔俊禮
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 蘇萌;鐘守期

技術領域

本發明涉及用于有機電子器件的基板、有機電子裝置、所述基板或裝置的制造方法、光源、及照明裝置。

背景技術

有機電子器件(OED；Organic?Electronic?Device)，例如是一種如專利文獻1(日本公開專利公報第1996-176293號)所述的包括至少一個能夠傳導電流的有機材料層的器件。有機電子器件的種類包括有機發光器件(OLED)、有機太陽能電池、有機光導體(OPC)、或有機晶體管等。

有機發光器件，作為具代表性的有機電子器件，通常依次包括基板、第一電極層、有機層、及第二電極層。在一種已知的底部發光型器件(bottom?emitting?device)的結構中，所述第一電極層可形成為透明電極層，且第二電極層可形成為反射電極層。此外，在一種已知的頂部發光型器件(top?emitting?device)的結構中，所述第一電極層可形成為反射電極層，且第二電極層可形成為透明電極層。由電極層注入的電子(electron)和空穴(hole)在位于有機層的發光層中重新結合(recombination)以產生光。該光在底部發光型器件中可向基板側發射，而在頂部發光型器件中可向第二電極層側發射。

在有機發光器件的結構中，通常用作透明電極層的銦錫氧化物(ITO；Indium?Tin?Oxide)、有機層、以及通常為玻璃的基板的折射率分別為約2.0、1.8和1.5。由于這些折射率之間的關系，例如，底部發光型器件的發光層中產生的光在有機層與第一電極層之間的界面處或者在基板中的全內反射(total?internal?reflection)現象而被捕集(trap)，因此，僅發射出非常少量的光。

另外，近來，隨著對柔性(flexible)有機電子器件的關注逐漸提高，在上述有機發光器件的結構中使用聚合物類基板來代替玻璃基板的技術需要也逐漸增多。但是，當使用這種聚合物類基板時，由于其在高溫及濕潤的環境下比玻璃類基板更加脆弱，因此，具有難以適用于有機電子器件的缺點。

發明內容

發明要解決的課題

本發明提供用于有機電子器件的基板、有機電子裝置、所述基板或裝置的制造方法、光源及照明裝置。

解決課題的方法

本發明的一個實施方案提供一種用于有機電子器件的基板，其包括第一聚合物基底層、光學功能層、高折射層、及阻擋層。用于有機電子器件的基板可具有例如所述第一聚合物基底層、光學功能層、及高折射層依次層疊的結構，所述阻擋層可形成在所述第一聚合物基底層或高折射層的一面或兩面。如圖1所示，例示性的用于有機電子器件的基板1具有如下結構，在第一聚合物基底層101上依次形成有光學功能層102和高折射層103，第一阻擋層104形成在所述第一聚合物基底層101和光學功能層102之間，第二阻擋層105形成在高折射層103的未形成有光學功能層的一面。在另一實施方案中，用于有機電子器件的基板1可具有如下結構，阻擋層形成在高折射層103與光學功能層102之間，或形成在第一聚合物基底層101的下部。

第一聚合物基底層可使用合適的聚合物基底層而無特別限制。例如，基板適用于底部發光型器件時，可使用透明聚合物基底層，例如使用對可見光區域內的光的透過率為50％以上的聚合物基底層。根據需要，所述聚合物基底層可為具有驅動用薄膜電晶體(TFT)的薄膜電晶體基板。當基板用于頂部發光(top?emission)型器件時，聚合物基底層并不是必須為透明基底層。根據需要，可在聚合物基底層的表面等形成有由鋁等形成的反射層。

作為第一聚合物基底層，例如可使用相對于波長為633nm的光的折射率為約1.5以上、約1.6以上、約1.65以上或約1.7以上的聚合物基底層。在一個實施方案中，對第一聚合物基底層的厚度沒有特別的限定，例如，可使用厚度為10μm至100μm的聚合物基底層。在一個實施方案中，第一聚合物基底層可使用滿足下述公式1的聚合物基底層。

[公式1]

15μm≤n×d≤200μm