[發明專利]晶格失配異質外延膜

有效

• 申請號: 201380061008.2
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN104871290B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: B·舒-金;V·H·勒;R·S·周;S·達斯古普塔;G·杜威;N·戈埃爾;J·T·卡瓦列羅斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;W·拉赫馬迪;M·拉多薩夫列維奇;H·W·田;N·M·澤利克
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 林金朝,王英

1.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括在具有對應于襯底寬度的襯底長軸和對應于襯底高度的襯底短軸的平面中；以及

第一外延(EPI)包覆層，其與第二外延包覆層和第三外延包覆層相鄰，所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層包括在包括總體上平行于所述襯底長軸的平面長軸并且與所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層相交的平面中；

其中，所述襯底包括襯底晶格常數，并且所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層的其中之一包括不同于所述襯底晶格常數的晶格常數；

其中，所述第三外延包覆層包括與第二外延包覆材料相同的第三外延包覆材料；

其中，所述第一外延包覆層被摻雜為一種極性，并且所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層被摻雜為與所述第一外延包覆層的所述極性相反的另一種極性；并且

其中，所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層與以下的其中之一距離相等：(a)朝向所述襯底延伸的鰭狀物；以及(b)朝向所述襯底延伸的溝槽。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層包括在雙極結型晶體管和閘流管的其中之一中。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層和所述第二外延包覆層直接接觸本征外延包覆層的相對的側壁，并且所述第一外延包覆層和所述第三外延包覆層直接接觸另一本征外延包覆層的相對的側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層包括第一外延包覆材料，并且所述第二外延包覆層包括不同于所述第一外延包覆材料的第二外延包覆材料。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層彼此并非成一整體，并且所述第一外延包覆層與所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層中的任一層并非成一整體。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層位于所述第二外延包覆層與所述第三外延包覆層之間。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層包括在異質結雙極晶體管中。

8.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括在具有對應于襯底寬度的襯底長軸和對應于襯底高度的襯底短軸的平面中；以及

第一外延(EPI)包覆層，其鄰近第二外延包覆層和第三外延包覆層，所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層包括在包括總體上平行于所述襯底長軸的平面長軸并且與所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層相交的平面中；

其中，所述襯底包括襯底晶格常數，并且所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層的其中之一包括與所述襯底晶格常數不相等的晶格常數；

其中，所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層與以下的其中之一距離相等：(a)朝向所述襯底延伸的鰭狀物；以及(b)朝向所述襯底延伸的溝槽。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第三外延包覆層包括與第二外延包覆材料相同的第三外延包覆材料。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層被摻雜為一種極性，并且所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層被摻雜為與所述第一外延包覆層的所述極性相反的另一種極性。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層、所述第二外延包覆層和所述第三外延包覆層包括在雙極結型晶體管和閘流管的其中之一中。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層和所述第二外延包覆層直接接觸本征外延包覆層的相對的側壁，并且所述第一外延包覆層和所述第三外延包覆層直接接觸另一本征外延包覆層的相對的側壁。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第一外延包覆層包括第一外延包覆材料，并且所述第二外延包覆層包括不同于所述第一外延包覆材料的第二外延包覆材料。