[發明專利]用于穿硅通孔的平臺結構

有效

• 申請號: 201380060834.5
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104838495B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: C·M·佩爾托;R·A·布雷恩;K·J·李;G·S·萊瑟曼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

本公開內容的實施例描述了與使用互連層的互連結構來形成用于穿硅通孔(TSV)的平臺結構相關聯的技術和構造。在一個實施例中，裝置包括：具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的半導體襯底；設置在所述半導體襯底的所述第一表面上的器件層，所述器件層包括一個或多個晶體管器件；設置在所述器件層上的互連層，所述互連層包括多個互連結構；以及設置在所述第一表面與所述第二表面之間的一個或多個穿硅通孔，其中，所述多個互連結構包括與所述一個或多個TSV電耦合并且被配置為提供所述一個或多個TSV的一個或多個對應的平臺結構的互連結構。還可以描述和/或要求保護其它實施例。

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年12月21日提交的標題為“LANDING STRUCTURE FOR THROUGH-SILICON VIA”的美國專利申請No.13/725917的優先權，通過引用的方式將該美國專利申請的全部公開內容并入本文。

技術領域

本公開內容的實施例總體上涉及集成電路領域，并且更具體地涉及與使用管芯的互連層來形成用于穿硅通孔的平臺(landing)結構相關聯的技術和構造。

背景技術

諸如IC管芯(下文稱為管芯)等集成電路(IC)器件和相關聯的封裝構造不斷縮小到更小的尺寸，以適應移動計算設備和其它小形狀因子實施方式。用于耦合IC器件的一種正在興起的解決方案可以包括形成穿過管芯的背面的穿硅通孔(TSV)，以提供穿過該管芯的用于另一管芯的電路由。然而，在管芯的正面提供用于TSV的平臺結構可能有挑戰性。例如，TSV可能具有比當前管芯的互連層中所圖案化的互聯結構的設計規則所允許的最大尺寸大得多的尺寸。TSV的尺寸與設計規則的尺寸之間存在的這種差異可能妨礙與TSV的尺寸相當的單個連續平臺結構的形成，尤其是對于最接近管芯的半導體襯底上形成的晶體管的較低互連層，在這些層中設計規則比較高互連層更加嚴格。互連結構的形成中的覆蓋和臨界尺寸變化可能進一步加劇該挑戰。可能期望的是將用于從互連層中的半導體襯底的背面形成的TSV的平臺結構設置成最接近管芯的半導體襯底，以避免與貫穿多個互連層來連接到平臺結構相關聯的挑戰。

附圖說明

通過結合附圖參考以下具體實施方式能夠容易地理解實施例。為了便于描述，類似的附圖標記表示類似的結構元件。在附圖的圖中通過示例的方式而非限制的方式示出了實施例。

圖1示意性地示出了根據一些實施例的晶片形式和單一化形式的管芯的示例性頂視圖。

圖2示意性地示出了根據一些實施例的集成電路(IC)封裝組件的示例性截面側視圖。

圖3示意性地示出了根據一些實施例的管芯的具有用于穿硅通孔(TSV)的平臺結構的部分的示例性截面側視圖。

圖4A-K示意性地示出了根據一些實施例的在各種制造操作之后的平臺結構。

圖4A示意性地示出了根據一些實施例的在器件層上形成第一溝槽層之后的平臺結構的示例性頂視圖。

圖4B示意性地示出了根據一些實施例的圖4A的平臺結構的示例性截面圖。

圖4C示意性地示出了根據一些實施例的在第一溝槽層上形成第二溝槽層之后的平臺結構的示例性頂視圖。

圖4D示意性地示出了根據一些實施例的圖4C的平臺結構的示例性截面圖。

圖4E示意性地示出了根據一些實施例的在第一溝槽層上形成第一通孔層之后的平臺結構的示例性頂視圖。

圖4F示意性地示出了根據一些實施例的圖4E的平臺結構的示例性截面圖。

圖4G示意性地示出了根據一些實施例的圖4E的平臺結構的替代構造的示例性截面圖。

圖4H示意性地示出了根據一些實施例的圖4E的平臺結構的另一個示例性截面圖。