[發明專利]負極活性物質、其制備方法和鋰二次電池在審
| 申請號: | 201380058984.2 | 申請日: | 2013-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN104781959A | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | 入山次郎;川崎大輔;藤井惠美子;芹澤慎;高橋浩雄 | 申請(專利權)人: | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01M4/48 | 分類號: | H01M4/48;H01M4/13 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 陳海濤;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 負極 活性 物質 制備 方法 二次 電池 | ||
1.一種包含硅氧化物的負極活性物質,當對進行至少一次充電后的硅氧化物進行硅的固態NMR(29Si-DDMAS)測定時,所述負極活性物質滿足以下式1和式2,
(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55
(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,
其中,S1為歸屬于具有Si-Si鍵且具有在0~-15ppm、-55ppm、-84ppm和-88ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S2為歸屬于具有Si(OH)4-n(OSi)n(n=3,4)結構且具有在-100ppm和-120ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S3為歸屬于具有Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0,1,2,3)結構且具有在-66ppm、-74ppm、-85ppm和-96ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和。
2.負極活性物質,其中在進行一次充電后滿足所述式1和所述式2的條件。
3.根據權利要求1或2的負極活性物質,其中所述負極活性物質含有用鋰預摻雜的硅氧化物,且在進行至少一次充電后滿足所述式1和所述式2的條件。
4.根據權利要求3的負極活性物質,其中通過采用如下方法中的至少一種,用鋰對硅氧化物進行預摻雜:
(i)利用鋰的熱擴散的方法,和
(ii)電化學摻雜鋰的方法。
5.根據權利要求4的負極活性物質,其中在通過(i)利用鋰的熱擴散進行預摻雜后,通過(ii)電化學摻雜鋰的方法進行預摻雜。
6.一種鋰二次電池,包含負極、正極和電解質,所述負極包含權利要求1~5中至少一項的負極活性物質、粘合劑和集電器。
7.一種用于制造包含硅氧化物的負極活性物質的方法,所述方法包括用鋰對硅氧化物進行摻雜的步驟,
其中在用鋰對硅氧化物進行摻雜的步驟中摻雜鋰,使得當對進行至少一次充電后的硅氧化物進行硅的固態NMR(29Si-DDMAS)測定時滿足以下式1和式2,
(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55
(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,
其中,S1為歸屬于具有Si-Si鍵且具有在0~-15ppm、-55ppm、-84ppm和-88ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S2為歸屬于具有Si(OH)4-n(OSi)n(n=3,4)結構且具有在-100ppm和-120ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S3為歸屬于具有Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0,1,2,3)結構且具有在-66ppm、-74ppm、-85ppm和-96ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和。
8.根據權利要求7的制造負極活性物質的方法,其中通過采用如下方法中的至少一種,用鋰對硅氧化物進行摻雜:
(i)利用鋰的熱擴散的方法,和
(ii)電化學摻雜鋰的方法。
9.根據權利要求8的制造負極活性物質的方法,其中通過(i)利用鋰的熱擴散的方法用鋰對硅氧化物進行摻雜,其后通過(ii)電化學摻雜鋰的方法用鋰對硅氧化物進行摻雜。
10.一種用于包含硅氧化物的負極活性物質的評價方法,所述方法包括:
對進行至少一次充電后的硅氧化物進行硅的固態NMR(29Si-DDMAS)測定,以及根據是否滿足以下式1和式2對負極活性物質進行選擇,
(式1)0.42≤S1/(S1+S2+S3)≤0.55
(式2)0.21≤S3/(S1+S2+S3)≤0.26,
其中,S1為歸屬于具有Si-Si鍵且具有在0~-15ppm、-55ppm、-84ppm和-88ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S2為歸屬于具有Si(OH)4-n(OSi)n(n=3,4)結構且具有在-100ppm和-120ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和,
S3為歸屬于具有Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0,1,2,3)結構且具有在-66ppm、-74ppm、-85ppm和-96ppm處的峰的Si的一組信號的峰面積的總和。
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