[發明專利]突波吸收器及其制造方法

在審

• 申請號: 201380058569.7
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104769793A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 丁鐘一;姜斗園;安奎鎮;陳相準;金炫昌;李京美;田東昊;康東鎮
• 申請（專利權）人: 斯瑪特電子公司
• 主分類號: H01T4/12
• 分類號: H01T4/12;H01T21/00
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 宋菲;劉云貴

技術領域

本發明涉及突波吸收器及其制造方法，且尤其涉及高耐用度的突波吸收器，這是因為使用具有高機械強度的陶瓷材料構成的陶瓷管，且陶瓷管通過焊接環與密封電極接合，因此不僅其耐久性顯著增加，而且通過完全密封陶瓷管所以可以在高電壓下穩定地使用。

背景技術

突波吸收器通常是設置在容易遭受異常電壓(例如雷擊、靜電等)導致的電子突波的部分，用于當流入異常電壓時通過氣體放電來消耗放電能量從而防止印刷電路板上的電子裝置被異常電壓所損傷。突波吸收器設置于傳輸線和電信終端設備(例如電話機、傳真機和數據機)的連接部分，或顯示裝置(例如電視機或監視器)的驅動電路。

圖10是現有的突波吸收器的側視圖。參照圖10，韓國專利申請號為2012-0097135的專利公開了一種突波吸收器包括：調節管11填充有惰性氣體，一對密封電極12設置于調節管11的兩端且分別電性連接至引線13，以及突波吸收單元15電性連接至密封電極12。突波吸收單元15包括：非導電性元件16；導電性鍍膜17，包覆非導線性元件16；保護膜18，包覆并保護導電性鍍膜17，以及多個放電間隙19，將導電性鍍膜17和保護膜18分開。

然而，針對這種現有的突波吸收器而言，當調節管由玻璃管制成，并且在密封電極被插入調節管的狀態下高溫熔化玻璃，所以無法確保接合強度。此外，由于玻璃調節管的低強度和低結合強度，現有的突波吸收器耐用度隨之下降。因此，現有的突波吸收器無法應用于高電壓。

發明內容

因此，有鑒于上述問題，本發明提供一種突波吸收器，因為使用具有較佳機械強度的陶瓷材料形成陶瓷管且使用焊接環來接合陶瓷管和密封電極，所以本發明突波吸收器具有較佳耐用度且能夠將陶瓷管完全密封，本發明也提供該突波吸收器的制造方法。

由于陶瓷管能夠完全密封且改善耐用度，因此本發明提供了一種能夠在高電壓下穩定操作的突波吸收器，以及該突波吸收器的制造方法。

本發明提供了一種能夠改善焊接環的濕潤特性、接合強度與放電效能的突波吸收器及其制造方法，其通過在焊接接面形成電鍍層而達成。

本發明的突波吸收器，包括：陶瓷管，內部填充有惰性氣體；一對密封電極，設置于該陶瓷管兩端；突波吸收單元，設置于該陶瓷管中，電性連接至該密封電極，且形成有放電間隙；以及焊接環，用于密封該陶瓷管與該密封電極之間，其中通過熔化該焊接環將該陶瓷管與該密封電極接合。

其中本發明的突波吸收器的該焊接環由包括銅、銀與鋅的合金構成。

其中本發明的突波吸收器的該密封電極包括：接觸部，插入至該陶瓷管內部，并朝內側突起從而與該突波吸收單元接觸；以及接面部，與該焊接環接合。

其中本發明的突波吸收器的該焊接環的外表面設置于與該陶瓷管的外表面等高之處，且相對于該陶瓷管的內表面，其內表面向內側延伸而成。

其中本發明的突波吸收器的該焊接環包括：與該陶瓷管接合的外部，以及與該突波吸收單元一端接合的內部。

其中本發明的突波吸收器的還包括：焊接元件，熔化在該接觸部和該端電極之間以結合該接觸部和該端電極。

根據本發明的突波吸收器，在該接觸部、該接面部與該端電極中的至少一個還包括含有鎳或鈦的電鍍層，從而能夠基于該焊接環或該焊接元件的熔化改善接合強度和放電特性。

本發明的突波吸收器制造方法，該突波吸收器包括：陶瓷管，內部設置有突波吸收單元；第一密封電極與第二密封電極，分別插入至該陶瓷管兩端，用以與該突波吸收單元接合；以及第一焊接環與第二焊接環，分別接合該陶瓷管與該第一密封電極、該第二密封電極接合，該制造方法包括：步驟S1，提供該第一密封電極；步驟S2，在該第一密封電極上依序層疊該第一焊接環與該陶瓷管；步驟S3，將該突波吸收單元插入至該陶瓷管；步驟S4，在該陶瓷管上依序層疊該第二焊接環與該第二密封電極；以及步驟S5，將經過步驟S1至步驟S4的突波吸收器置入充有惰性氣體的腔室并熔化該第一焊接環與該第二焊接環以密封該陶瓷管與該第一密封電極及該第二密封電極之間。

根據本發明的突波吸收器制造方法，該第一密封電極與該第二密封電極分別包括：接觸部，插入至該陶瓷管內部，并朝內側突起從而與該突波吸收單元接觸；以及接面部，分別與該第一焊接環與該第二焊接環接合，其中，第一焊接環和第二焊接環分別插入至第一密封電極和第二密封電極的接面部。

根據本發明的突波吸收器制造方法，該第一焊接環與該第二焊接環是由在銅合金表面上包括銅和銀的Ag₂₅Cu構成；及在該步驟S5中在800℃至850℃的溫度下熔化該第一焊接環與該第二焊接環。