[發明專利]突波吸收器及其制造方法

在審

• 申請號: 201380058569.7
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104769793A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 丁鐘一;姜斗園;安奎鎮;陳相準;金炫昌;李京美;田東昊;康東鎮
• 申請（專利權）人: 斯瑪特電子公司
• 主分類號: H01T4/12
• 分類號: H01T4/12;H01T21/00
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 宋菲;劉云貴

1.一種突波吸收器，包括：

陶瓷管，內部填充有惰性氣體；

一對密封電極，設置于該陶瓷管兩端；

突波吸收單元，設置于該陶瓷管中，電性連接至該密封電極，且形成有放電間隙；以及

焊接環，用于密封該陶瓷管與該密封電極之間，

其中通過熔化該焊接環將該陶瓷管與該密封電極接合。

2.根據權利要求1所述的突波吸收器，其中該焊接環由包括銅、銀與鋅的合金構成。

3.根據權利要求1所述的突波吸收器，其中該密封電極包括：接觸部，插入至該陶瓷管內部，并朝內側突起從而與該突波吸收單元接觸；以及接面部，與該焊接環接合。

4.根據權利要求3所述的突波吸收器，其中該焊接環的外表面設置于與該陶瓷管的外表面等高之處，且相對于該陶瓷管的內表面，其內表面向內側延伸而成。

5.根據權利要求4所述的突波吸收器，其中該焊接環包括：與該陶瓷管接合的外部，以及與該突波吸收單元一端接合的內部。

6.根據權利要求3所述的突波吸收器，還包括：焊接元件，熔化在該接觸部和該端電極之間以結合該接觸部和該端電極。

7.根據權利要求6所述的突波吸收器，在該接觸部、該接面部與該端電極中的至少一個還包括含有鎳或鈦的電鍍層，從而能夠基于該焊接環或該焊接元件的熔化改善接合強度和放電特性。

8.一種突波吸收器的制造方法，該突波吸收器包括：陶瓷管，內部設置有突波吸收單元；第一密封電極與第二密封電極，分別插入至該陶瓷管兩端，用以與該突波吸收單元接合；以及第一焊接環與第二焊接環，分別接合該陶瓷管與該第一密封電極、該第二密封電極接合，該制造方法包括：

步驟S1，提供該第一密封電極；

步驟S2，在該第一密封電極上依序層疊該第一焊接環與該陶瓷管；

步驟S3，將該突波吸收單元插入至該陶瓷管；

步驟S4，在該陶瓷管上依序層疊該第二焊接環與該第二密封電極；以及

步驟S5，將經過步驟S1至步驟S4的突波吸收器置入充有惰性氣體的腔室并熔化該第一焊接環與該第二焊接環以密封該陶瓷管與該第一密封電極及該第二密封電極之間。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中：

該第一密封電極與該第二密封電極分別包括：接觸部，插入至該陶瓷管內部，并朝內側突起從而與該突波吸收單元接觸；以及接面部，分別與該第一焊接環與該第二焊接環接合，

其中，第一焊接環和第二焊接環分別插入至第一密封電極和第二密封電極的接面部。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其中：

該第一焊接環與該第二焊接環是由在銅合金表面上包括銅和銀的Ag₂₅Cu構成；及

在該步驟S5中在800℃至850℃的溫度下熔化該第一焊接環與該第二焊接環。

11.根據權利要求8所述的制造方法，其中：

該第一焊接環與該第二焊接環是由Ag₅₆CuZnSn構成，Ag₅₆CuZnSn為含銀、銅、鋅和錫的合金；及

在該步驟S5中在600℃至650℃的溫度下熔化該第一焊接環與該第二焊接環。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其中：

在該接面部的表面上還包括含有鎳或鈦的電鍍層，從而能夠改善基于該第一焊接環與該第二焊接環的熔化的接合強度和放電特性。