[發(fā)明專利]成膜掩膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380057122.8 | 申請日: | 2013-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN104755648B | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 水村通伸 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社V技術(shù) |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艷君 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成膜掩膜 | ||
1.一種成膜掩膜,用于使蒸鍍材料覆蓋于基板上而以恒定的排列間距排列形成多個(gè)薄膜圖案,
所述成膜掩膜的特征在于,
具備:
薄板狀的磁性金屬部件,其設(shè)置有以與所述薄膜圖案相同的排列間距排列且形狀尺寸比該薄膜圖案大的貫通孔;和
樹脂制的薄膜,其與所述磁性金屬部件的一個(gè)面緊貼而設(shè)置,且在所述貫通孔內(nèi)在與所述薄膜圖案相對應(yīng)的位置形成有形狀尺寸與該薄膜圖案相同的開口圖案,且可見光可透過該薄膜,
所述開口圖案設(shè)置于由蒸鍍的陰影的區(qū)域所包圍的區(qū)域內(nèi),該蒸鍍的陰影的區(qū)域在所述貫通孔內(nèi)由所述磁性金屬部件的厚度與所述蒸鍍材料相對于所述薄膜面的最大入射角度所決定,
所述由蒸鍍的陰影的區(qū)域所包圍的區(qū)域的在與所述貫通孔的排列方向相同的方向的寬度W1,至少等于將所述開口圖案的在與所述貫通孔的排列方向相同的方向的寬度W2加上所述開口圖案的在相同方向的位置偏移允許值α的2倍值2α所得的值(W2+2α)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述貫通孔的排列方向的寬度,等于將所述由蒸鍍的陰影的區(qū)域所包圍的區(qū)域的在與所述貫通孔的排列方向相同的方向的寬度W1加上所述蒸鍍的陰影的區(qū)域的在與所述貫通孔的排列方向相同的方向的寬度t×tanθ的2倍值2×t×tanθ所得的值(W1+2×t×tanθ),其中,t:上述磁性金屬部件的厚度,θ:蒸鍍材料相對于掩模面的最大入射角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述磁性金屬部件是鎳、鎳合金、殷鋼或者殷鋼合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述薄膜是聚酰亞胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
將設(shè)置有內(nèi)含所述貫通孔的大小的開口的框狀的框架的一端面、與所述磁性金屬部件的一個(gè)面的周邊區(qū)域接合而進(jìn)行設(shè)置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





